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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利针对单稳态的PVT补偿延迟单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112152597B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010592602.6，技术领域涉及：H03K7/08；该发明授权针对单稳态的PVT补偿延迟单元是由M·扎姆普罗戈诺;A·塔杰法设计研发完成，并于2020-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本针对单稳态的PVT补偿延迟单元在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及针对单稳态的PVT补偿延迟单元。单稳态电路包括：具有基准发生器的延迟单元，基准发生器基于PVT不变电阻和阈值电压来生成基准电流；以及具有输出电容器和输出电路的延迟块，输出电路响应于输入信号，根据基准电流来改变在输出电容器上存储的电荷量。反相器具有耦合到输出电路的输入。逻辑电路将反相器的输出与输入信号进行逻辑组合，以生成单稳态触发脉冲。输出电路包括：响应于输入信号的第一逻辑状态而向输出电容器发出基准电流的电流源；以及响应于输入信号的第二逻辑状态而从输出电容器汲取电流以使得输出电容器放电的电流宿。

本发明授权针对单稳态的PVT补偿延迟单元在权利要求书中公布了：1.一种单稳态电路，包括： 延迟单元，包括： 基准反相器，所述基准反相器的输入被耦合至所述基准反相器的输出，并且所述基准反相器被配置为生成阈值电压； 基准电流发生器，被配置为根据所述阈值电压和工艺、电压和温度PVT不变电阻来生成基准电流；以及 延迟块，包括： 输出电容器；以及 输出电路，被配置为响应于输入信号，根据所述基准电流来改变在所述输出电容器上存储的电荷量； 输出反相器，具有输入并且具有输出，所述输出反相器的所述输入被耦合到所述延迟块的所述输出电路；以及 逻辑电路，被配置为将所述输出反相器的所述输出与所述输入信号进行逻辑组合以生成单稳态触发脉冲； 其中所述延迟块的所述输出电路包括： 第一p沟道晶体管，具有源极、漏极和栅极，所述第一p沟道晶体管的所述源极被耦合以接收所述基准电流，所述第一p沟道晶体管的所述栅极被耦合以接收所述输入信号； 第二p沟道晶体管，具有源极、漏极和栅极，所述第二p沟道晶体管的所述源极被耦合到所述第一p沟道晶体管的所述源极，所述第二p沟道晶体管的所述漏极被耦合到接地，所述第二p沟道晶体管的所述栅极被耦合以接收所述输入信号的互补；以及 n沟道晶体管，具有漏极、源极和栅极，所述n沟道晶体管的所述漏极被耦合到所述第一p沟道晶体管的所述漏极，所述n沟道晶体管的所述源极被耦合到接地，所述n沟道晶体管的所述栅极被耦合以接收所述输入信号；并且 其中所述输出电容器被耦合在所述n沟道晶体管的所述漏极与接地之间。

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