三星电子株式会社吴起硕获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储装置、电子设备及设置半导体存储装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112631506B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010759067.9，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权半导体存储装置、电子设备及设置半导体存储装置的方法是由吴起硕设计研发完成，并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置、电子设备及设置半导体存储装置的方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体存储装置、电子设备及设置半导体存储装置的方法。所述电子设备包括：半导体存储装置，被配置为存储工艺信息并将所述工艺信息输出到外部；以及主机，被配置为：从所述半导体存储装置读取所述工艺信息，并根据所述工艺信息选择多种操作模式中的一种操作模式以将其设置为所述半导体存储装置的操作模式。所述多种操作模式可以限定所述半导体存储装置的功耗或所述半导体存储装置的响应特性中的一者或更多者。
本发明授权半导体存储装置、电子设备及设置半导体存储装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种电子设备，包括： 半导体存储装置，被配置为存储工艺信息并将所述工艺信息输出到外部；以及 主机，被配置为：从所述半导体存储装置读取所述工艺信息，并根据所述工艺信息选择多种操作模式中的一种操作模式，以将其设置为所述半导体存储装置的操作模式， 其中，所述多种操作模式限定所述半导体存储装置的功耗和所述半导体存储装置的响应特性，所述响应特性限定数据响应于所述半导体存储装置的读取命令被输出的多个互不相同的时延，并且 其中，所述多种操作模式包括： 第一操作模式，在所述第一操作模式下，所述半导体存储装置由所述主机设置为在第一时延和第一电压下操作， 第二操作模式，在所述第二操作模式下，所述半导体存储装置由所述主机设置为在所述第一时延和第二电压下操作，所述第二电压小于所述第一电压，以及 第三操作模式，在所述第三操作模式下，所述半导体存储装置由所述主机设置为在第二时延和所述第一电压下操作，所述第二时延小于所述第一时延。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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