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联华电子股份有限公司许博凯获国家专利权

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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利混合式随机存取存储器的系统架构、结构以及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114093908B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010855208.7,技术领域涉及:H10B61/00;该发明授权混合式随机存取存储器的系统架构、结构以及其制作方法是由许博凯;王慧琳;许清桦;林奕佑;范儒钧;陈宏岳设计研发完成,并于2020-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

混合式随机存取存储器的系统架构、结构以及其制作方法在说明书摘要公布了:本发明公开一种混合式随机存取存储器的系统架构、结构以及其制作方法,其中用于单芯片系统的混合式随机存取存储器包含:一半导体基底,其具有一磁阻式随机存取存储器区以及一可变电阻式随机存取存储器区、一第一介电层,位于该半导体基底上、多个可变电阻式随机存取存储器单元位于该可变电阻式随机存取存储器区的该第一介电层中、一第二介电层位于该第一介电层之上、以及多个磁阻式随机存取存储器单元位于该磁阻式随机存取存储器区的该第二介电层中。

本发明授权混合式随机存取存储器的系统架构、结构以及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种用于单芯片系统上的混合式随机存取存储器的系统架构,其特征在于,包含: 运算单元; 混合式寄存器,耦接至该运算单元; 多个磁阻式随机存取存储器区块,每个该磁阻式随机存取存储器区块包含多个磁阻式随机存取存储器单元,该些磁阻式随机存取存储器单元耦接至磁阻式随机存取存储器控制器,且该磁阻式随机存取存储器控制器耦接至该混合式寄存器;以及 多个可变电阻式随机存取存储器区块,每个该可变电阻式随机存取存储器区块包含多个可变电阻式随机存取存储器单元,该些可变电阻式随机存取存储器单元耦接至可变电阻式随机存取存储器控制器,且该可变电阻式随机存取存储器控制器耦接至该混合式寄存器; 其中该多个可变电阻式随机存取存储器单元与该多个磁阻式随机存取存储器单元位于同一半导体基底上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人联华电子股份有限公司,其通讯地址为:中国台湾新竹市;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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