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龙图腾网获悉上海丽恒光微电子科技有限公司申请的专利一种制冷红外探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256379B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010956026.9，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种制冷红外探测器及其制备方法是由杨天伦;毛剑宏设计研发完成，并于2020-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种制冷红外探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种制冷红外探测器的及其制备方法中，制备方面包括以下步骤：提供一衬底，衬底上依次形成有超晶格复合层和硬掩模层，衬底中形成有沟槽和台面，沟槽和台面贯穿硬掩模层，并均暴露出部分厚度的超晶格复合层；去除硬掩模层；对衬底执行第一次清洁和表面处理工艺；在超晶格复合层上形成第一钝化层；对衬底的表面执行第二次清洁和表面处理工艺。本发明通过形成双层的钝化层第一钝化层和第二钝化层以及在形成每个钝化层之前均执行第一次清洁和表面处理工艺，以减少超晶格复合层表面的悬挂键，改变器件的表面态，同时还增加了后续形成第一钝化层的欧姆接触，降低了表面漏电流，从而降低暗电流，提高了器件的性能。

本发明授权一种制冷红外探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种制冷红外探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一衬底，所述衬底上依次形成有超晶格复合层和硬掩模层，所述衬底中还形成有沟槽和台面，所述沟槽和台面均贯穿所述硬掩模层，并均暴露出部分厚度的所述超晶格复合层； 去除所述硬掩模层； 在CVD、PVD或者ALD设备中对所述衬底的表面执行第一次清洁和表面处理工艺，其中，所述第一次清洁和表面处理工艺在真空的反应腔室中进行，在反应腔室中通入了清洁气体，且所述清洁气体的流量大于10sccm，工艺时间大于400秒； 在所述超晶格复合层上形成第一钝化层，所述第一钝化层覆盖了所述沟槽和台面，其中，所述第一钝化层为单质硫或者硫化合物，且所述第一钝化层通过电镀的方式，或者通过镀膜的方式形成； 在ALD、CVD或PVD设备中对所述衬底的表面执行第二次清洁和表面处理工艺，其中，所述第二次清洁和表面处理工艺在真空的反应腔室中进行，在反应腔室中通入了氢气，且氢气的流量大于10sccm，工艺时间在6min以上，所述反应腔室的真空度小于100torr； 在所述第一钝化层上形成第二钝化层，所述第二钝化层包括氮化硅、氧化硅、氧化铪、氮化铝和氧化铝，且所述第二钝化层通过ALD工艺、CVD工艺或PVD工艺形成； 刻蚀所述第二钝化层，并暴露出所述超晶格复合层，以形成开孔； 在所述开孔中形成金属电极。

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