中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司王士京获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284141B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011032918.6，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权半导体结构的形成方法是由王士京设计研发完成，并于2020-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层；在待刻蚀层上形成初始牺牲层；在初始牺牲层内形成改性层，所述改性层的厚度小于所述初始牺牲层的厚度，所述改性层与初始牺牲层的刻蚀速率不同；采用第一刻蚀去除部分所述初始牺牲层，在改性层之间形成凹槽，所述凹槽的深度小于初始牺牲层的厚度；以所述改性层为掩膜，采用第二刻蚀去除所述凹槽底部暴露出的初始牺牲层，形成牺牲层和位于牺牲层上的改性层。所述方法形成的半导体结构的性能得到提升。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供待刻蚀层； 在待刻蚀层上形成初始牺牲层； 在初始牺牲层内形成改性层，所述改性层的厚度小于所述初始牺牲层的厚度，所述改性层与初始牺牲层的刻蚀速率不同； 采用第一刻蚀去除部分所述初始牺牲层，在改性层之间形成凹槽，所述凹槽的深度小于初始牺牲层的厚度； 以所述改性层为掩膜，采用第二刻蚀去除所述凹槽底部暴露出的初始牺牲层，形成牺牲层和位于牺牲层上的改性层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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