长江存储科技有限责任公司张中获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188330B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111361134.2，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权三维存储器是由张中;吴林春;张坤;周文犀设计研发完成，并于2020-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器在说明书摘要公布了：本发明提供一种三维存储器的制造方法及三维存储器，在本发明所提供的三维存储器的制造方法中，在台阶结构上沉积额外的伪栅极覆盖层之后，仅去除台阶侧壁的伪栅极覆盖层，不去除半导体层上残留的伪栅极覆盖层，而是直接在残留的伪栅极覆盖层上形成介质层并刻蚀填充形成金属插塞，精简了刻蚀工艺且节省了掩膜，提高了生产效率并降低了生产成本；同时，在刻蚀形成接触孔时，将原来穿过半导体层的接触孔的刻蚀改为停留在伪栅极覆盖层，减小了对应的刻蚀窗口，增强了其设计灵活性。
本发明授权三维存储器在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器，其特征在于，包括： 半导体层，包括阵列区和边缘区； 堆叠结构，设于所述半导体层上的阵列区，所述堆叠结构包括交替层叠的第二介质层和栅极层，其中，所述堆叠结构靠近所述边缘区的端部包括多级台阶，所述多级台阶沿着从所述阵列区至所述边缘区的方向延伸，每一级台阶包括沿远离所述半导体层方向依次叠设的所述第二介质层和所述栅极层； 第一介质层，位于所述半导体层的边缘区且贯穿所述半导体层；以及， 伪栅极覆盖层，设于所述半导体层上的边缘区，并至少覆盖所述第一介质层靠近所述堆叠结构的表面；在垂直方向上所述伪栅极覆盖层高于所述堆叠结构的底面。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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