日月光半导体制造股份有限公司谢孟伟获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体设备封装和其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113257773B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011037599.8，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权半导体设备封装和其制造方法是由谢孟伟;康国章设计研发完成，并于2020-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体设备封装和其制造方法在说明书摘要公布了：本公开关于一种半导体设备封装及其制造方法。所述半导体设备封装包含第一电路层、第一发射设备和第二发射设备。所述第一电路层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一发射设备安置在所述第一电路层的所述第二表面上。所述第一发射设备具有面向所述第一电路层的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一发射设备具有安置在所述第一发射设备的所述第一表面上的第一导电图案。所述第二发射设备安置在所述第一发射设备的所述第二表面上。所述第二发射设备具有面向所述第一发射设备的所述第二表面的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第二发射设备具有安置在所述发射设备的所述第二表面上的第二导电图案。所述第一发射设备的热膨胀系数CTE大于所述第二发射设备的CTE。
本发明授权半导体设备封装和其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体设备封装，其包括： 第一电路层，所述第一电路层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面； 第一发射设备，所述第一发射设备安置在所述第一电路层的所述第二表面上，所述第一发射设备具有面向所述第一电路层的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一发射设备具有安置在所述第一发射设备的所述第一表面上的第一导电图案；以及 第二发射设备，所述第二发射设备安置在所述第一发射设备的所述第二表面上，所述第二发射设备具有面向所述第一发射设备的所述第二表面的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第二发射设备具有安置在所述发射设备的所述第二表面上的第二导电图案， 其中所述第一发射设备的热膨胀系数CTE大于所述第二发射设备的CTE。
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