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电光-IC股份有限公司劳伦斯·E·塔洛夫获国家专利权

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龙图腾网获悉电光-IC股份有限公司申请的专利包括单片集成的光电二极管和跨阻放大器的光接收器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114788018B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080086451.5,技术领域涉及:H10F77/124;该发明授权包括单片集成的光电二极管和跨阻放大器的光接收器是由劳伦斯·E·塔洛夫;威廉·A·哈格利;戈德蒙·A·哈尔特森;约翰·威廉·米切尔·罗杰斯设计研发完成,并于2020-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

包括单片集成的光电二极管和跨阻放大器的光接收器在说明书摘要公布了:一种光接收器包括单片集成的针状光电二极管PIN和跨阻放大器TIA。所述TIA包括InP异质结双极晶体管HBT,其由生长在SI:InP衬底上的外延层堆叠的第一多个层制成;所述PIN由所述外延层堆叠的第二多个层制成。所述PIN的p型触点垂直连接到所述TIA的输入,以降低PIN电容CPIN。所述TIA电容CTIA可以被蚀刻到CPIN。将包括吸收层的厚度、窗口面积和任选的所述PIN的镜面厚度、装置电容CPIN+CTIA和所述TIA的反馈电阻RF的装置参数优化为包括在工作波长下的特定灵敏度和响应度的性能规格。这种设计方法能够经济高效地制造集成PIN‑TIA,用于10G‑PONONU的1577nm接收器等应用。

本发明授权包括单片集成的光电二极管和跨阻放大器的光接收器在权利要求书中公布了:1.一种光接收器,包括单片集成的光电二极管PD和跨阻放大器TIA,其中: 在半绝缘SI磷化铟InP衬底上形成有外延层堆叠,所述外延层堆叠包含形成于所述半绝缘磷化铟衬底上的第一多个半导体层,以及位于所述第一多个半导体层顶部的第二多个半导体层; 所述跨阻放大器包括由所述第一多个半导体层形成的磷化铟异质结双极晶体管HBT; 所述光电二极管包括由所述外延层堆叠的所述第二多个半导体层形成的PIN二极管,包括n层、i层和p层;以及 所述PIN二极管为具有顶面窗口的垂直PIN二极管,或为具有侧面窗口的波导PIN二极管; 所述PIN二极管的p型触点通过导电迹线直接互连到所述跨阻放大器的输入,以提供所述PIN二极管的装置电容CPIN和所述跨阻放大器的电容CTIA;且 选择包括CPIN、CTIA、所述i层的厚度ti、所述PIN二极管的面积和所述跨阻放大器的跨阻抗反馈电阻RF的值的装置参数,以提供满足性能规范的集成PIN-TIA,包括在工作波长下的指定灵敏度和指定响应度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人电光-IC股份有限公司,其通讯地址为:加拿大安大略省卡娜塔;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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