佛山市国星半导体技术有限公司崔永进获国家专利权
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龙图腾网获悉佛山市国星半导体技术有限公司申请的专利一种具有复合尺寸的LED芯片的制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112436075B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011431835.4，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种具有复合尺寸的LED芯片的制备方法、芯片是由崔永进设计研发完成，并于2020-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有复合尺寸的LED芯片的制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有复合尺寸的LED芯片的制备方法、芯片，所述制备方法包括：S1、在衬底上形成外延层；S2、对外延层进行测试，获得外延层的波长分布图，并根据波长分布图将外延层划分成n个波长区域，每个波长区域的外延层的波长不同；S3、制作光刻板，所述光刻板对应设有n个光刻区域，每个光刻区域设有多个通孔；S4、采用所述光刻板来刻蚀外延层，形成不同尺寸的发光结构和切割道；S5、在发光结构上形成电极；S6、沿着切割道切割所述衬底，制得不同尺寸的芯片。本发明根据外延层的波长分布将同一区段波长的外延层制成同一尺寸的芯片，其余不同波长段的外延层制成不同尺寸的芯片，以提高芯片成品良率，出货效率，以及减少不同波段芯片的库存。
本发明授权一种具有复合尺寸的LED芯片的制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种具有复合尺寸的LED芯片的制备方法，其特征在于，包括： S1、在衬底上形成外延层； S2、对外延层进行测试，获得外延层的波长分布图，并根据波长分布图将外延层划分成n个波长区域，n≥2，每个波长区域的外延层的波长不同； S3、制作光刻板，所述光刻板对应设有n个光刻区域，每个光刻区域设有多个通孔，同一个光刻区域的通孔尺寸相同，不同光刻区域的通孔尺寸不同；所述光刻板还设有至少两种尺寸的隔离条，所述隔离条设于通孔之间，其中，所述隔离条的尺寸数量与光刻区域的数量相对应； S4、采用所述光刻板来刻蚀外延层，形成不同尺寸的发光结构和切割道，其中，所述通孔对应形成发光结构，所述隔离条对应形成切割道； S5、在发光结构上形成电极； S6、沿着切割道切割所述衬底，制得不同尺寸的芯片。
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