三星电子株式会社李洙龙获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113223977B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110022696.8，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权半导体装置的制造方法是由李洙龙;姜旻澈;姜奉秀;李智庸设计研发完成，并于2021-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种制造半导体装置的方法。所述方法包括：形成下模制件，下模制件具有堆叠在基底上的下层和穿过下层的下沟道结构；形成上模制件，上模制件包括堆叠在下模制件上的上层和穿过上层的上沟道结构；去除上模制件以使下模制件的上表面暴露；从捕获下模制件的上表面的原始图像分离其中显示上沟道结构的迹线的上原始图像与其中显示下沟道结构的下原始图像；将上原始图像输入到学习神经网络中以获取其中显示上沟道结构的剖面的上恢复图像；以及将上恢复图像与下原始图像进行比较以验证上模制件和下模制件的对准状态。
本发明授权半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤： 形成下模制件，所述下模制件具有堆叠在基底上的下层和穿过所述下层的下沟道结构； 形成上模制件，所述上模制件包括堆叠在所述下模制件上的上层和穿过所述上层的上沟道结构； 去除所述上模制件以使所述下模制件的上表面暴露； 从捕获所述下模制件的所述上表面的原始图像分离出显示所述上沟道结构的迹线的上原始图像与显示所述下沟道结构的下原始图像； 将所述上原始图像输入到神经网络中以获取显示所述上沟道结构的剖面的上恢复图像；以及 将所述上恢复图像与所述下原始图像进行比较以验证所述上模制件和所述下模制件的对准状态。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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