中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司徐晓伟获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792624B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110106512.6，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权半导体结构的形成方法是由徐晓伟;朱辰设计研发完成，并于2021-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层，待刻蚀层包括第一区和第二区；在第一区上形成第一核心层；在第一核心层侧壁形成侧墙材料层；在待刻蚀层上形成第二核心层；在第二区上形成阻挡层，部分阻挡层内具有隔断沟槽；对第二核心层进行改性处理，在第二核心层内形成改性区；去除第一核心层和阻挡层覆盖的第二核心层，形成第一开口和第二开口。在本技术方案中通过在阻挡层内形成隔断沟槽，在去除阻挡层覆盖的第二核心层之后，由隔离沟槽暴露出的改性区与其他改性区为整体结构，具有较强的稳定性，因此由隔离沟槽暴露出的改性区不易倾斜坍塌，进而降低了后续形成的第二导电层出现短接的风险，使得最终形成的半导体结构的性能有效提升。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括若干第一区和若干第二区，所述第一区和第二区沿第一方向排布，且所述第一区位于相邻的所述第二区之间； 在所述第一区上形成第一核心层，所述第一核心层沿第二方向延伸，所述第一方向和所述第二方向相垂直； 在所述第一核心层侧壁表面形成侧墙材料层； 在所述待刻蚀层上形成第二核心层，所述第二核心层覆盖所述侧墙材料层的侧壁； 在形成第二核心层之后，在所述第二区上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖部分所述第二核心层的顶部表面，所述阻挡层沿所述第二方向延伸，且部分所述阻挡层内具有隔断沟槽，所述隔断沟槽沿所述第一方向贯穿所述阻挡层； 以所述阻挡层为掩膜，对所述第二核心层进行改性处理，在第二核心层内形成改性区，所述改性区内具有改性离子； 在形成所述改性区之后，去除所述阻挡层、第一核心层以及所述阻挡层覆盖的所述第二核心层，在所述第二核心层内形成第一开口和第二开口。
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