信越半导体株式会社大槻刚获国家专利权
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龙图腾网获悉信越半导体株式会社申请的专利半导体基板的干式蚀刻方法及硅氧化膜的干式蚀刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115485815B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180031524.5，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权半导体基板的干式蚀刻方法及硅氧化膜的干式蚀刻方法是由大槻刚;阿部达夫设计研发完成，并于2021-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体基板的干式蚀刻方法及硅氧化膜的干式蚀刻方法在说明书摘要公布了：本发明是一种半导体基板的干式蚀刻方法，其为具有氧化膜的半导体基板的干式蚀刻方法，其中，预先评价所述氧化膜的膜质，并基于该评价的结果确定进行所述干式蚀刻的时间。由此，提供以下的方法：在对半导体基板表面的氧化膜进行干式蚀刻时，可不受氧化膜的膜质差异影响，准确地控制氧化膜的蚀刻量，而抑制过度蚀刻或蚀刻不足。
本发明授权半导体基板的干式蚀刻方法及硅氧化膜的干式蚀刻方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体基板的干式蚀刻方法，其为具有氧化膜的半导体基板的干式蚀刻方法，其特征在于， 预先通过RBS卢瑟福反向散射分析的沟道模式评价所述氧化膜的膜质，该膜质包括构造、组成的差异，并基于该评价的结果确定进行所述干式蚀刻的时间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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