杭州纤纳光电科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州纤纳光电科技有限公司申请的专利一种全平面结构的钙钛矿太阳能组件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117253B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110291464.2，技术领域涉及：H10K30/50；该发明授权一种全平面结构的钙钛矿太阳能组件及其制备方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2021-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种全平面结构的钙钛矿太阳能组件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种全平面结构的钙钛矿太阳能组件，包括基底、底电极层、钙钛矿吸光层和顶电极层，在该组件中还分别间隔设置多组相互平行的P1沟槽、P2沟槽和P3沟槽，P1沟槽切断底电极层以露出基底，P2沟槽切断顶电极层和钙钛矿吸光层以露出底电极层，P3沟槽切断顶电极层以露出钙钛矿吸光层，在P1沟槽内填充满P1绝缘惰性层，在P2沟槽内填充满P2导电性层，在P3沟槽内填充满P3绝缘惰性层。本发明还公开该组件的制备方法。本发明的组件各功能层具有全平面结构，有利于封装胶膜与钙钛矿太阳能组件之间的紧密贴合排尽空气，避免出现封装时组件切槽处的胶膜难以铺装的问题。
本发明授权一种全平面结构的钙钛矿太阳能组件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种全平面结构的钙钛矿太阳能组件，其结构从下至上依次包括基底、底电极层、钙钛矿吸光层和顶电极层，其特征在于，在所述钙钛矿太阳能组件中还分别间隔设置多组相互平行的P1沟槽、P2沟槽和P3沟槽，P1沟槽设置在底电极层上，P1沟槽切断底电极层以露出基底，在P1沟槽内填充满P1绝缘惰性层使其与底电极层的顶平面平齐，P2沟槽和P3沟槽分别设置在顶电极层上，P2沟槽切断顶电极层和钙钛矿吸光层以露出底电极层，在P2沟槽内分层填充满P2导电性层和P2导通层，P2导电性层位于P2导通层的上部，P2导通层与制备顶电极层的材料相同，位于P2沟槽上部的P2导电性层与顶电极层的顶平面平齐，P2导电性层与P2沟槽侧壁的顶电极层电导通，P3沟槽切断顶电极层以露出钙钛矿吸光层，在P3沟槽内填充满P3绝缘惰性层使其与顶电极层的顶平面平齐。
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