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龙图腾网获悉苏州科沃微电子有限公司;上海理工大学申请的专利一种基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113126206B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110518045.8，技术领域涉及：G02B6/126；该发明授权一种基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片及其制造方法是由冯吉军;刘海鹏设计研发完成，并于2021-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片及其制造方法，其中，所述芯片包括：一硅基衬底；一设置在所述硅基衬底上的二氧化硅缓冲层；一设置在所述二氧化硅缓冲层上的基于硅波导的芯层，其包括：从左到右依次相连的一输入直波导、一第一亚波长光栅结构和一正弦函数弯曲波导，以及从左到右依次相连的一第二亚波长光栅结构和一输出直波导，其中，所述第二亚波长光栅结构与所述第一亚波长光栅结构平行设置并与该第一亚波长光栅结构的输入端对齐；以及一设置在所述二氧化硅缓冲层上并包覆在所述芯层外的二氧化硅包层。本发明不仅实现了偏振分束功能，而且具有结构简单紧凑、消光比高、带宽大、工艺流程不繁琐复杂等优异性能。

本发明授权一种基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片，其特征在于，所述芯片包括： 一硅基衬底； 一设置在所述硅基衬底上的二氧化硅缓冲层； 一设置在所述二氧化硅缓冲层上的基于硅波导的芯层，其包括：从左到右依次相连的一输入直波导、一第一亚波长光栅结构和一正弦函数弯曲波导，以及从左到右依次相连的一第二亚波长光栅结构和一输出直波导，其中，所述第二亚波长光栅结构与所述第一亚波长光栅结构平行设置并与该第一亚波长光栅结构的输入端对齐；以及 一设置在所述二氧化硅缓冲层上并包覆在所述芯层外的二氧化硅包层； 其中，所述第一亚波长光栅结构和第二亚波长光栅结构的长度均为5～7μm，宽度均为0.45～0.5μm； 所述第一亚波长光栅结构的周期为0.3～0.4μm，占空比为0.5～0.7，该第一亚波长光栅结构的光栅数量为15～17； 所述第二亚波长光栅结构的周期为0.4～0.5μm，占空比为0.5～0.8，该第二亚波长光栅结构的光栅数量为12～14； 相互平行的所述第一亚波长光栅结构和第二亚波长光栅结构之间的间距为0.25～0.35μm； 所述正弦函数弯曲波导的长度为5～12μm，宽度为0.45～0.5μm，横向偏移长度为3～5μm，弯曲半径为7～10μm； 所述输出直波导的长度为5～10μm，宽度为0.45～0.5μm。

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