浙江中科玖源新材料有限公司徐哲获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江中科玖源新材料有限公司申请的专利一种纳米硅负极材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440942B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110614339.0，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种纳米硅负极材料及其制备方法是由徐哲;解惠东;邵成蒙设计研发完成，并于2021-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种纳米硅负极材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种纳米硅负极材料及其制备方法，该纳米硅负极材料的制备方法包括：将包括含苯并咪唑基团的二胺与二酐进行缩聚反应后，再与卤代烃进行取代反应，得到聚酰胺酸盐；将上述聚酰胺酸盐与纳米硅粉进行混合后，再加热进行亚胺化反应，即得到所述纳米硅负极材料。本发明提出的一种纳米硅负极材料及其制备方法，通过用聚合物包覆在纳米硅粉表面，可防止硅基活性材料开裂甚至粉化，提高了锂离子电池用硅负极材料的循环稳定性、储电量。
本发明授权一种纳米硅负极材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种纳米硅负极材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、将包括含苯并咪唑基团的二胺与二酐进行缩聚反应后，再与卤代烃进行取代反应，得到聚酰胺酸盐； S2、将上述聚酰胺酸盐与纳米硅粉进行混合后，再加热进行亚胺化反应，即得到所述纳米硅负极材料； 所述含苯并咪唑基团的二胺为如下结构式所示： 所述二酐为如下结构式所示： 所述卤代烃包括卤代烷烃或卤代芳烃，卤代烷烃或卤代芳烃为如下结构式所示：
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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