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龙图腾网获悉乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司申请的专利基于硅的自组装单层组合物及使用该组合物的表面制备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116157551B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180061144.6，技术领域涉及：C09K3/00；该发明授权基于硅的自组装单层组合物及使用该组合物的表面制备是由文卡特斯瓦拉·R·帕伦姆;让-马克·吉拉尔;尼古拉斯·布拉斯科;克洛迪娅·法法尔德;法布里齐奥·马切吉亚尼设计研发完成，并于2021-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于硅的自组装单层组合物及使用该组合物的表面制备在说明书摘要公布了：披露了一种形成SAM的组合物，其包含具有主链的SAM单体或前体，该主链具有表面反应性基团，其中该主链不包含Si‑C键并且选自由无Si‑C键的聚硅烷和三甲硅烷基胺组成的组。披露了该表面反应性基团用于分别是电介质表面和金属表面的待覆盖的表面。还披露了一种在表面上形成SAM的方法，以及一种在该SAM上形成膜的方法。

本发明授权基于硅的自组装单层组合物及使用该组合物的表面制备在权利要求书中公布了：1.一种形成膜的方法，该方法包括以下步骤： 制备基底上的表面以使该表面暴露于形成自组装单层SAM的组合物，该组合物包含 具有主链的SAM前体，该主链具有表面反应性基团X， 其中该主链不包含Si-C键并且是无Si-C的聚硅烷和三甲硅烷基胺组成的组， 其中该表面反应性基团X选自： -选自Cl、Br、I的卤素； -氰酸酯、异氰酸酯或硫氰酸酯基团； -氨基-NR1R2，其中R1选自H、直链、支链或环状的C1-C10烷基或烯基或烷基甲硅烷基；R2选自直链、支链或环状的C2-C10烷基或烯基，其前提是R1＝R2≠Et；或烷基甲硅烷基；或者R1和R2桥接，从而NR1R2形成环状配体，其前提是该环状配体包含杂原子S、N或O； -脒基-R3-N-CR4＝N-R5，其中R3和R5各自独立地选自C1至C10直链或支链的烷基或三烷基甲硅烷基；并且R4选自H、C1至C10直链或支链的烷基；或 -巯基-SH、膦酸或羧酸； 使该表面暴露于该形成SAM的组合物； 通过液相或气相暴露在该表面上形成该SAM；以及 利用形成膜的前体通过湿法沉积工艺或干法沉积工艺使膜在该SAM上生长，该形成膜的前体选自主族元素，或是选自Ti、Ta、W、Mo、Nb或V的过渡金属元素，氟化物、氯化物、溴化物、碘化物、氯氧化物、溴氧化物、氟氧化物，以及它们的组合。

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