无锡华润上华科技有限公司冯冰获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利LDMOS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115579393B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110758264.3，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权LDMOS器件及其制备方法是由冯冰;许超奇;张建栋;缪海生;贺腾飞设计研发完成，并于2021-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本LDMOS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法，在金属硅化物阻挡层中，采用与氧化硅层具有较大的刻蚀选择比的氮氧化硅层作为LDMOS漂移区上方的悬停金属接触件的刻蚀阻挡层；具有高消光系数的氮氧化硅层能够显著降低H迁移对PMOS造成的影响；可不增加退火或紫外光照处理，直接利用流程中的较低温度的RTA热退火过程就能实现应力记忆及应力迁移，以增加NMOS的电子迁移速率；不用增加额外的光刻及腐蚀过程，可提升产品流通效率。
本发明授权LDMOS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件包括： 半导体衬底； 漂移区，所述漂移区位于所述半导体衬底中； 体区，所述体区位于所述漂移区中； 源极及漏极，所述源极位于所述体区中，所述漏极位于所述漂移区中； 栅极介电层，所述栅极介电层覆盖所述漂移区，并延伸至覆盖部分所述源极及部分所述漏极； 栅极，所述栅极覆盖所述栅极介电层，且显露位于所述漂移区上方的部分所述栅极介电层； 金属硅化物阻挡层，所述金属硅化物阻挡层覆盖显露的所述栅极介电层，且所述金属硅化物阻挡层包括与所述栅极介电层相接触的氧化硅层及位于所述氧化硅层上的氮氧化硅层； 层间介电层，所述层间介电层覆盖所述栅极、源极、漏极以及所述金属硅化物阻挡层； 金属接触件，所述金属接触件包括栅极金属接触件、源极金属接触件、漏极金属接触件及位于所述氧化硅层表面上的悬停金属接触件。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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