买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制作方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115643748B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110813571.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构是由郭帅设计研发完成，并于2021-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制作方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，包括：提供基底以及位于基底上的介质层，阵列区的基底上具有若干分立的电容接触插塞，电容接触插塞的顶面还形成有第一导电层；在第一导电层以及介质层上依次形成转换层以及目标层，阵列区以及第一电路区的目标层内均具有贯穿目标层的第一开口；图形化位于阵列区的目标层，以形成第二开口，且图形化位于第一电路区以及第二电路区的目标层，以形成第三开口；以具有第一开口、第二开口以及第三开口的目标层为掩膜，刻蚀转换层，以形成第一沟槽；形成填充满第一沟槽的填充层，且去除转换层，以形成第二沟槽；形成填充满第二沟槽的第二导电层。本申请实施例有利于提高半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构的制作方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底以及位于所述基底上的介质层，所述基底包括阵列区、第一电路区和第二电路区，且所述第一电路区位于所述阵列区与所述第二电路区之间，所述阵列区的所述基底上具有若干分立的电容接触插塞，所述第一电路区的所述基底上具有第一栅极，且所述第一电路区还具有位于所述第一栅极相对两侧的第一导电插塞，所述第二电路区的所述基底上具有第二栅极，且所述第二电路区还具有位于所述第二栅极相对两侧的第二导电插塞，且所述第一栅极、所述第二栅极以及所述电容接触插塞位于所述介质层内，所述电容接触插塞的顶面还形成有第一导电层； 在所述第一导电层以及所述介质层上依次形成转换层以及目标层，所述阵列区以及所述第一电路区的所述目标层内均具有贯穿所述目标层的第一开口，且所述阵列区的所述第一开口的图形密度大于所述第一电路区的所述第一开口的图形密度； 图形化位于所述阵列区的相邻的所述第一开口之间的所述目标层，以形成贯穿所述目标层的第二开口，且图形化位于所述第一电路区以及所述第二电路区的所述目标层，以形成贯穿所述目标层的第三开口； 以具有所述第一开口、所述第二开口以及所述第三开口的所述目标层为掩膜，刻蚀所述转换层，以在所述转换层内形成第一沟槽； 形成填充满所述第一沟槽的填充层，且去除所述转换层，以形成贯穿所述填充层的第二沟槽，且所述阵列区的所述第二沟槽露出所述第一导电层顶面，所述第一电路区的所述第二沟槽露出所述第一导电插塞顶面，所述第二电路区的所述第二沟槽露出所述第二导电插塞顶面； 形成填充满所述第二沟槽的第二导电层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。