旺宏电子股份有限公司赖二琨获国家专利权
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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利垂直存储结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206990B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110811285.7，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权垂直存储结构是由赖二琨;龙翔澜设计研发完成，并于2021-07-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直存储结构在说明书摘要公布了：本公开有关于一种垂直存储结构，存储装置实现于垂直存储结构中，包含交替的绝缘材料层与字线材料层的叠层，具有设置为通过叠层的包含交替的导电柱与绝缘柱的柱体组。数据存储结构设置于绝缘柱与字线材料层的交叉点上的字线材料层的内表面上。半导体通道材料设置于绝缘柱与数据存储结构之间且位于绝缘柱与字线材料层的交叉点上。半导体通道材料绕着绝缘柱的外表面延伸，在两侧接触相邻导电柱以提供源极漏极端子。
本发明授权垂直存储结构在权利要求书中公布了：1.一种垂直存储结构，其特征在于，包含： 一叠层，包含交替的多个绝缘材料层与多个字线材料层； 一柱体组，设置为通过该叠层且包含的交替的多个导电柱与多个绝缘柱，该柱体组至少包含一第一导电柱、相邻于该第一导电柱的一第一绝缘柱与相邻于该第一绝缘柱的一第二导电柱，其中该第一绝缘柱的一外表面在平行于这些字线材料层的一平面上为弓形的arcuate； 多个数据存储结构，设置于该第一绝缘柱与这些字线材料层的多个交叉点上的这些字线材料层的多个内表面上；以及 一半导体通道材料，介于该第一绝缘柱与这些数据存储结构之间且在该第一绝缘柱与这些字线材料层的这些交叉点上，该半导体通道材料围绕着该第一绝缘柱的该外表面延伸且接触该第一导电柱与该第二导电柱，其中，相邻于该第一绝缘柱的这些字线材料层的这些内表面相对于相邻于该第一绝缘柱的这些绝缘材料层的多个内表面是凹陷的，以形成介于这些绝缘材料层之间的多个凹室，且其中该半导体通道材料与这些数据存储结构设置于这些凹室中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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