中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所孙钱获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利III族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692491B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110826176.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权III族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法是由孙钱;钟耀宗;陈昕;高宏伟;苏帅;周宇;詹晓宁;刘建勋;杨辉设计研发完成，并于2021-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本III族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种III族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法。所述III族氮化物增强型HEMT器件包括外延结构以及与外延结构配合的源极、漏极和栅极，所述外延结构包括依次叠设的沟道层、势垒层和p型半导体；所述外延结构还包括叠设在p型半导体上的AlyGa1‑yN层，所述栅极设置在AlyGa1‑yN层上；所述势垒层与p型半导体的接触界面处的Al含量低于所述势垒层中其余区域的Al含量，所述AlyGa1‑yN层所含掺杂元素的浓度低于所述p型半导体所含掺杂元素的浓度；其中，0＜x≦1，0≦y≦1，0≦m≦1。本发明提供的III族氮化物增强型HEMT器件具有更高的栅极工作寿命和更小的栅极动态阈值电压漂移，器件的可靠性可以得到大幅提升。
本发明授权III族氮化物增强型HEMT器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种III族氮化物增强型HEMT器件，包括外延结构以及与外延结构配合的源极、漏极和栅极，所述外延结构包括依次叠设的沟道层、势垒层和p型半导体，其特征在于： 所述外延结构还包括叠设在p型半导体上的AlyGa1-yN层，所述栅极设置在AlyGa1-yN层上； 其中，所述势垒层为AlxGa1-xN势垒层或InxAl1-xN势垒层，所述p型半导体为p型AlmGa1-mN层或p型InmAl1-mN层，所述势垒层与p型半导体的接触界面处的Al含量低于所述势垒层中其余区域的Al含量，所述AlyGa1-yN层所含掺杂元素的浓度低于所述p型半导体所含掺杂元素的浓度；其中，0＜x≦1，0≦y≦1，0≦m≦1。
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