北京工业大学崔碧峰获国家专利权
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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利一种半导体激光器件、制造方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115693399B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110838375.5，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种半导体激光器件、制造方法及其应用是由崔碧峰;王翔媛;潘季宸;冯靖宇;陈芬;李彩芳设计研发完成，并于2021-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体激光器件、制造方法及其应用在说明书摘要公布了：本公开内容提供一种半导体激光器及其制作方法，所述激光器包括：一衬底；在衬底上形成的半导体结构，包括第一和第二分布布拉格反射镜、第一和第二包覆层以及有源层；以及在所述有源层上形成的第一限制层和或在所述有源层下形成的第二限制层；所述限制层在所述有源层中限定出N个相邻的子发光区域，所述N个相邻的子发光区域形成一相干耦合发光单元,其中N为大于等于3的整数。本公开内容有助于实现如下效果之一：能解决电流扩展不均匀、获得相干耦合输出，改善光束质量，提供高度紧密排列和精确限定。
本发明授权一种半导体激光器件、制造方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器，包括： 一衬底； 在衬底上形成的半导体结构，包括第一和第二分布布拉格反射镜、第一和第二包覆层以及有源层； 以及在所述有源层上形成的第一电流限制层和或在所述有源层下形成的第二电流限制层； 所述电流限制层在所述有源层中限定出N个相邻的子发光区域，所述N个相邻的子发光区域形成一相干耦合发光单元,其中N为大于等于3的整数； 其中，所述电流限制层为电绝缘性，并且所述电流限制层在有源层上方和或下方形成一个较小范围的第一导电区，所述电流限制层在所述第一导电区的外周，从而在所述第一导电区定义出所述N个相邻的子发光区域。
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