杭州电子科技大学刘艳获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种GaN HEMT直流I-V温度模型建立方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114741836B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210137378.0,技术领域涉及:G06F30/20;该发明授权一种GaN HEMT直流I-V温度模型建立方法是由刘艳;黄昌洋;程知群;王涛;陈思敏设计研发完成,并于2022-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN HEMT直流I-V温度模型建立方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种基于全局敏感参数的GaNHEMT直流I‑V温度模型建立方法,首先选定一个GaNHEMT直流I‑V常温模型,通过非线性拟合确定每个温度下的拟合参数,然后计算每个参数的全局敏感参数并选择相对敏感的参数,然后建立敏感参数与温度之间的关系,最后替换GaNHEMT直流I‑V常温模型中的常量,以建立GaNHEMT直流I‑V温度模型。通过该方法,可以准确的判断在温度模型中哪些参数受温度影响较大,通过使用多项式构建这些参数与温度之间的关系,然后代入直流I‑V常温模型,由此建立高精度的GaNHEMT直流I‑V温度模型。
本发明授权一种GaN HEMT直流I-V温度模型建立方法在权利要求书中公布了:1.一种GaNHEMT直流I-V温度模型建立方法,其特征在于,包括: 建立初始GaNHEMT直流I-V常温模型; 获取所述初始GaNHEMT直流I-V常温模型在多个温度下的拟合参数值; 计算每个所述拟合参数的全局温度敏感参数值; 选择待温度化的参数,并确定为温度敏感参数; 建立所述温度敏感参数与温度之间的关系方程,并分别进行非线性拟合; 将所述温度敏感参数与温度之间的关系方程代入所述初始GaNHEMT直流I-V常温模型,得到优化后GaNHEMT直流I-V温度模型; 其中,所述初始GaNHEMT直流I-V常温模型为: 其中,a1、n为经验参数,Vt0为阈值电压,b0是决定Ids_output达到饱和时的电压调制参数,用来表征陷阱效应; 在所述计算每个所述拟合参数的全局温度敏感参数值的步骤中,所述温度敏感参数定义为: 其中,a为某个所述拟合参数的拟合结果,Δa为所述拟合参数的变化量,I为漏源电压,为测试数据中栅源电压Vgs的样本点数,为测试数据中漏源电压Vds的样本点数,为温度T的样本点数; 在所述选择待温度化的参数,并确定为温度敏感参数步骤中,确定的所述温度敏感参数包括a1、Vt0和n; 所述温度敏感参数与温度之间的关系方程包括: 所述优化后GaNHEMT直流I-V温度模型为:
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