厦门市三安集成电路有限公司王晶晶获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门市三安集成电路有限公司申请的专利HEMT射频器件的制作方法及HEMT射频器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313797B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310296750.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权HEMT射频器件的制作方法及HEMT射频器件是由王晶晶;钟杰斌设计研发完成，并于2023-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本HEMT射频器件的制作方法及HEMT射频器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种HEMT射频器件的制作方法，是在衬底上形成NiFe2O4材料层，然后对NiFe2O4材料层进行退火处理使NiFe2O4材料层形成若干磁致伸缩单元，所述磁致伸缩单元具有向上凸起的弧面，在其上生长包括氮化物异质结的HEMT外延材料层，然后制作源极、漏极和栅极。将具有弧面凸起的磁致伸缩单元应用于HEMT材料结构改进，磁致伸缩凸起单元在磁场作用下发生形变，对HEMT外延材料层施加应力，阻碍了沟道层势垒层的晶格变形，保持氮化物异质结的动态电阻不变，有效抑制了电流崩塌效应，提升了器件的性能和稳定性。
本发明授权HEMT射频器件的制作方法及HEMT射频器件在权利要求书中公布了：1.一种HEMT射频器件的制作方法，其特征在于，包括： 步骤1）于衬底上形成NiFe2O4材料层； 步骤2）于100~800℃的温度下对NiFe2O4材料层进行退火处理，退火时间为15s~30min，退火后所述NiFe2O4材料层形成若干磁致伸缩单元，所述磁致伸缩单元具有向上凸起的弧面； 步骤3）于具有所述磁致伸缩单元的衬底上生长HEMT外延材料层，所述HEMT外延材料层包括氮化物异质结； 步骤4）于HEMT外延材料层上制作源极、漏极和栅极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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