武汉大学郑怀获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种高通量的微液滴操控方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117463415B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311335975.5，技术领域涉及：B01L3/00；该发明授权一种高通量的微液滴操控方法及装置是由郑怀;吴佳瑶;房多魁;周逸凡;高歌;曾吉设计研发完成，并于2023-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高通量的微液滴操控方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高通量的微液滴操控方法及装置，所述方法包括，S1、将超疏水绝缘薄膜放置于带有开口的支撑台上部，所述支撑台的下部还设有可移动的绝缘掩膜版，所述绝缘掩膜版带有孔结构；S2、在所述超疏水绝缘薄膜上表面喷洒导电的微液滴，随后在所述超疏水绝缘薄膜的上端形成表面静电势阱，在表面静电势阱作用下所述微液滴融合；S3、控制所述掩膜版移动，引导待操控所述微液滴移动至目标位置，去除表面静电势阱并使得所述微液滴与所述超疏水绝缘薄膜上表面脱离。本发明所用的材料通用性强，装置简单易得，无外添加剂，降低了高通量微液滴操控的制造成本，提高了微液滴操控的灵活性，避免了待操控微液滴的污染。
本发明授权一种高通量的微液滴操控方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种高通量的微液滴操控方法，其特征在于，包括以下步骤， S1、将超疏水绝缘薄膜放置于带有开口的支撑台上部，所述支撑台的下部还设有可移动的绝缘掩膜版，所述绝缘掩膜版带有孔结构； S2、在所述超疏水绝缘薄膜上表面喷洒导电的微液滴，随后在所述超疏水绝缘薄膜的上端形成表面静电势阱，在表面静电势阱作用下使所述微液滴融合； S3、控制所述掩膜版移动，引导待操控所述微液滴移动至目标位置，去除表面静电势阱并使得所述微液滴与所述超疏水绝缘薄膜上表面脱离； 所述绝缘薄膜的厚度为50~150μm，且具有微孔结构，孔径为5~15μm； 所述表面静电势阱由与电源正负极相连接的两个针尖电极电晕放电，正负电荷沉积在超疏水绝缘薄膜上产生， 其中，与电源正极连接的针尖电极与超疏水绝缘薄膜的距离大于与电源负极连接的针尖电极与超疏水绝缘薄膜的距离； 所述针尖电极的材料为导电固体材料。
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