东芝存储器株式会社野岛和弘获国家专利权
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龙图腾网获悉东芝存储器株式会社申请的专利半导体存储装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110931493B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910093744.5，技术领域涉及：H10B41/42；该发明授权半导体存储装置及其制造方法是由野岛和弘;清水公志郎设计研发完成，并于2019-01-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置及其制造方法在说明书摘要公布了：实施方式提供一种能够提高动作可靠性的半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：逻辑电路，设置在衬底上；第1区域，设置在逻辑电路上，且在第1方向交替积层有多个第1绝缘层33与多个导电层35_0～35_7、36；多个存储柱MP，在第1区域中在第1方向延伸；第2区域，设置在逻辑电路上，且在第1方向交替积层有多个第1绝缘层33与多个第2绝缘层50；以及接触插塞CP1，在第2区域中在第1方向延伸，且连接于逻辑电路。
本发明授权半导体存储装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备： 逻辑电路，设置在衬底上； 第1区域，设置在所述逻辑电路上，且在第1方向交替积层有多个第1绝缘层与多个导电层； 多个存储柱，在所述第1区域中在所述第1方向延伸； 第2区域，设置在所述逻辑电路上，且在所述第1方向交替积层有所述多个第1绝缘层与多个第2绝缘层； 接触插塞，在所述第2区域中在所述第1方向延伸，且连接于所述逻辑电路； 第1分离区域，包围所述第2区域且在所述第1方向延伸；以及 第2分离区域，设置在所述第1区域，在所述第1方向及与所述第1方向交叉的第2方向延伸且将所述导电层分离；且 所述第1分离区域的上表面低于所述第2分离区域的上表面。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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