台湾积体电路制造股份有限公司江国诚获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110660859B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910381127.5,技术领域涉及:H10D30/62;该发明授权半导体装置的制造方法是由江国诚;朱熙甯;陈冠霖;程冠伦;王志豪设计研发完成,并于2019-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了:半导体装置的制造方法包含形成从基底突出的鳍片,此鳍片具有多个牺牲层和多个通道层,其中牺牲层和通道层交替排列,从鳍片的通道区移除牺牲层的一部分,在已经移除牺牲层的一部分的区域中沉积间隔物材料,选择性地移除间隔物材料的一部分,借此露出鳍片的通道区中的通道层,其中间隔物材料的其他部分保留作为间隔物部件,以及形成栅极结构接合于露出的通道层。
本发明授权半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置的制造方法,包括: 形成从一基底突出的一鳍片,该鳍片具有多个牺牲层和多个通道层,其中该多个牺牲层和该多个通道层交替排列; 从该鳍片的一通道区去除该多个牺牲层的一部分; 在已经去除了该多个牺牲层的该部分的区域中沉积一间隔物材料; 去除该间隔物材料的一部分,借此露出该鳍片的该通道区中的该多个通道层,其中该间隔物材料的其他部分保留作为一间隔物部件; 形成一栅极结构接合于露出的该多个通道层;以及 形成一源极漏极部件,其中该间隔物部件介于该源极漏极部件和该栅极结构之间。
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