慧荣科技股份有限公司杨宗杰获国家专利权
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龙图腾网获悉慧荣科技股份有限公司申请的专利闪存控制器以及用来存取闪存模块的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114708897B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210227507.5，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权闪存控制器以及用来存取闪存模块的方法是由杨宗杰设计研发完成，并于2019-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存控制器以及用来存取闪存模块的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种闪存控制器以及用来存取闪存模块的方法，其中所述闪存模块包括至少一闪存芯片，每一闪存芯片包括多个区块，每一区块包括多个页面，以及所述方法包括以下步骤：发送一读取指令至所述闪存模块以请求至少一记忆单元上的数据；自所述闪存模块接收所述至少一记忆单元的多个记忆细胞的多位信息；以及分析所述多个记忆细胞的所述多位信息以取得所述多个记忆细胞的一临界电压分布以供决定一解码程序。总的来说，本发明的闪存模块能因应读取指令将每一记忆细胞的多位信息输出至所述闪存控制器，且每一记忆细胞的多位信息可指出所述记忆细胞的临界电压或状态。因此，读取效率能被大幅地改善。
本发明授权闪存控制器以及用来存取闪存模块的方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存控制器，其中所述闪存控制器耦接至一闪存模块，所述闪存模块包括至少一闪存芯片，每一闪存芯片包括多个区块，每一区块包括多个页面，所述闪存控制器的特征在于，包括： 一存储器，用来存储一程序代码；以及 一微处理器，用来执行所述程序代码以通过一控制逻辑电路来存取所述闪存模块； 其中在所述微处理器发送一读取指令至所述闪存模块以请求至少一记忆单元上的数据以后，所述控制逻辑电路自所述闪存模块接收所述至少一记忆单元的多个记忆细胞的多位信息，其中所述至少一记忆单元的每一记忆细胞是用来存储多个位，每一记忆细胞具有多个状态，所述多个状态是用来指出所述多个位的不同组合，每一状态是区分为多个子状态，以及每一记忆细胞的所述多位信息是用来指出所述记忆细胞具有哪一个子状态；以及所述控制逻辑电路分析所述多个记忆细胞的所述多位信息以取得所述多个记忆细胞的一临界电压分布以供决定所述控制逻辑电路中的一解码器采用一第一解码方法或是一第二解码方法来进行解码。
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