美光科技公司K·K·穆图克里希南获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利集成电路、集成电路的电容器阵列以及用于制造集成电路的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112185962B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010622833.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权集成电路、集成电路的电容器阵列以及用于制造集成电路的方法是由K·K·穆图克里希南;A·J·斯赫林斯凯设计研发完成，并于2020-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路、集成电路的电容器阵列以及用于制造集成电路的方法在说明书摘要公布了：本申请案涉及集成电路、集成电路的电容器阵列以及用于制造集成电路的方法。集成电路包括多个水平排列成二维2D网格的特征。所述2D网格包括具有四个网格点并且在成对的所述四个网格点之间具有四个直线侧边的平行四边形单位单元。所述平行四边形单位单元具有横跨在所述四个网格点中的两个对角线上对置的网格点之间的直线对角线。所述直线对角线比所述四个直线侧边中的每一个都要长。所述各个特征处于所述四个网格点中的一个处并且沿着相对于所述四个直线侧边中的每一个水平地成角度的方向占据水平拉长的最大水平区域。还公开其它实施例，包含方法实施例。
本发明授权集成电路、集成电路的电容器阵列以及用于制造集成电路的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，其包括： 多个特征，其水平排列成二维2D网格； 所述2D网格包括平行四边形单位单元，所述平行四边形单位单元具有四个网格点并且在成对的所述四个网格点之间具有四个直线侧边，所述平行四边形单位单元具有横跨在所述四个网格点中的两个对角线上对置的网格点之间的直线对角线，所述直线对角线比所述四个直线侧边中的每一个都要长；且 所述多个特征所包括的各个特征，其具有垂直高度并安置于所述四个网格点所包括的网格点中的一个处，所述各个特征中的每一者的水平横截面具有最大水平区域，所述最大水平区域具有沿着相对于所述四个直线侧边中的每一个水平地成角度的方向水平拉长的包围外周，所述多个特征所包括的所述各个特征的每一者具有所述最大水平区域的中心点，所述包围外周具有外侧外周形状，所述外侧外周形状包括圆形中心区域和沿所述方向从所述圆形中心区域向外延伸的对置延伸区域，所述外侧外周形状延伸所述特征的整个垂直高度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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