瑞萨电子株式会社下山浩哉获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞萨电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN109524390B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201811090561.X,技术领域涉及:H01L25/07;该发明授权半导体装置是由下山浩哉;中村弘幸设计研发完成,并于2018-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了:本公开涉及半导体装置。增强了半导体装置的性能。半导体装置是通过在密封部分中密封各自包括用于高侧开关的功率晶体管的第一、第二和第三半导体芯片,各自包括用于低侧开关的功率晶体管的第四、第五和第六半导体芯片,以及包括控制这些芯片的控制电路的半导体芯片而获得的半导体装置。第四、第五和第六半导体芯片的源极焊盘经由金属板电耦合到多个引线LD9和多个引线LD10。在平面中看时,引线LD9与密封部分的边MRd4相交,并且引线LD10与密封部分的边MRd2相交。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置,所述半导体装置包括: 第一半导体芯片,包括用于高侧开关的第一功率晶体管并具有第一主表面和位于所述第一主表面的相对侧的第一背面, 其中所述第一半导体芯片包括形成在所述第一背面中并耦合到所述第一功率晶体管的第一背电极、形成在所述第一主表面中并耦合到所述第一功率晶体管的第一电极、以及形成在所述第一主表面中并控制所述第一电极与所述第一背电极之间的连续性的第一栅电极; 第二半导体芯片,包括用于高侧开关的第二功率晶体管并具有第二主表面和位于所述第二主表面的相对侧的第二背面, 其中所述第二半导体芯片包括形成在所述第二背面中并耦合到所述第二功率晶体管的第二背电极、形成在所述第二主表面中并耦合到所述第二功率晶体管的第二电极、以及形成在所述第二主表面中并控制所述第二电极与所述第二背电极之间的连续性的第二栅电极; 第三半导体芯片,包括用于高侧开关的第三功率晶体管并具有第三主表面和位于所述第三主表面的相对侧的第三背面, 其中所述第三半导体芯片包括形成在所述第三背面中并耦合到所述第三功率晶体管的第三背电极、形成在所述第三主表面中并耦合到所述第三功率晶体管的第三电极、以及形成在所述第三主表面中并控制所述第三电极与所述第三背电极之间的连续性的第三栅电极; 第四半导体芯片,包括用于低侧开关的第四功率晶体管并具有第四主表面和位于所述第四主表面的相对侧的第四背面, 其中所述第四半导体芯片包括形成在所述第四背面中并耦合到所述第四功率晶体管的第四背电极、形成在所述第四主表面中并耦合到所述第四功率晶体管的第四电极、以及形成在所述第四主表面中并控制所述第四电极与所述第四背电极之间的连续性的第四栅电极; 第五半导体芯片,包括用于低侧开关的第五功率晶体管并具有第五主表面和位于所述第五主表面的相对侧的第五背面, 其中所述第五半导体芯片包括形成在所述第五背面中并耦合到所述第五功率晶体管的第五背电极、形成在所述第五主表面中并耦合到所述第五功率晶体管的第五电极、以及形成在所述第五主表面中并控制所述第五电极与所述第五背电极之间的连续性的第五栅电极; 第六半导体芯片,包括用于低侧开关的第六功率晶体管并具有第六主表面和位于所述第六主表面的相对侧的第六背面, 其中所述第六半导体芯片包括形成在所述第六背面中并耦合到所述第六功率晶体管的第六背电极、形成在所述第六主表面中并耦合到所述第六功率晶体管的第六电极、以及形成在所述第六主表面中并控制所述第六电极与所述第六背电极之间的连续性的第六栅电极; 第七半导体芯片,包括控制所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片、所述第三半导体芯片、所述第四半导体芯片、所述第五半导体芯片和所述第六半导体芯片中的每一个的电路并具有第七主表面和位于所述第七主表面的相对侧的第七背面; 其中,所述第七半导体芯片包括形成在所述第七主表面中的多个第七电极,和 其中所述第一半导体芯片的所述第一栅电极、所述第二半导体芯片的所述第二栅电极、所述第三半导体芯片的所述第三栅电极、所述第四半导体芯片的所述第四栅电极、所述第五半导体芯片的所述第五栅电极以及所述第六半导体芯片的所述第六栅电极经由多个第一导线分别电耦合到所述第七半导体芯片的所述第七电极; 第一芯片安装部分,安装有所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片和所述第三半导体芯片,并与所述第一背电极、所述第二背电极和所述第三背电极电耦合; 第二芯片安装部分,安装有所述第四半导体芯片,并与所述第四背电极电耦合; 第三芯片安装部分,安装有所述第五半导体芯片,并与所述第五背电极电耦合; 第四芯片安装部分,安装有所述第六半导体芯片,并与所述第六背电极电耦合; 第五芯片安装部分,安装有所述第七半导体芯片; 多个第一引线,电耦合到所述第一半导体芯片的所述第一电极; 多个第二引线,电耦合到所述第二半导体芯片的所述第二电极; 多个第三引线,电耦合到所述第三半导体芯片的所述第三电极; 多个第四引线,与所述第二芯片安装部分整体地形成,并电耦合到所述第四半导体芯片的所述第四背电极; 多个第五引线,与所述第三芯片安装部分整体地形成,并电耦合到所述第五半导体芯片的所述第五背电极; 多个第六引线,与所述第四芯片安装部分整体地形成,并电耦合到所述第六半导体芯片的所述第六背电极; 多个第七引线和多个第八引线,与所述第一芯片安装部分整体地形成,并电耦合到所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片和所述第三半导体芯片的所述第一背电极、所述第二背电极和所述第三背电极; 多个第九引线和多个第十引线,经由第一金属板电耦合到所述第四半导体芯片、所述第五半导体芯片和所述第六半导体芯片的所述第四电极、所述第五电极和所述第六电极;和 密封体,密封所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片、所述第三半导体芯片、所述第四半导体芯片、所述第五半导体芯片、所述第六半导体芯片、所述第七半导体芯片、所述第一芯片安装部分的至少一部分、所述第二芯片安装部分的至少一部分、所述第三芯片安装部分的至少一部分、所述第四芯片安装部分的至少一部分、所述第五芯片安装部分的至少一部分、所述第一金属板、第一引线的部分、第二引线的部分、第三引线的部分、第四引线的部分、第五引线的部分、第六引线的部分、第七引线的部分、第八引线的部分、第九引线的部分以及第十引线的部分, 其中,在平面中看时,所述密封体包括沿着第一方向延伸的第一边、沿着与所述第一方向相交的第二方向延伸的第二边、沿着所述第一方向延伸并位于所述第一边的相对侧的第三边、以及沿着所述第二方向延伸并位于所述第二边的相对侧的第四边, 其中,在所述第二方向上,所述第七半导体芯片位于第一芯片组与第二芯片组之间,所述第一芯片组包括所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片和所述第三半导体芯片,所述第二芯片组包括所述第四半导体芯片、所述第五半导体芯片和所述第六半导体芯片,并且所述第一芯片组位于所述第三边一侧,并且所述第二芯片组位于所述第一边一侧, 其中,在所述第一方向上,所述第二半导体芯片位于所述第一半导体芯片与所述第三半导体芯片之间,并且所述第一半导体芯片位于所述第四边一侧,并且所述第三半导体芯片位于所述第二边一侧, 其中,在所述第一方向上,所述第五半导体芯片位于所述第四半导体芯片与所述第六半导体芯片之间,并且所述第四半导体芯片位于所述第四边一侧,并且所述第六半导体芯片位于所述第二边一侧, 其中,在平面中看时,第一引线、第二引线和第三引线与所述密封体的所述第三边相交, 其中,在平面中看时,第四引线、第五引线和第六引线与所述密封体的所述第一边相交, 其中,在平面中看时,第八引线和第十引线与所述密封体的所述第二边相交,以及 其中,在平面中看时,第七引线和第九引线与所述密封体的所述第四边相交。
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