东京毅力科创株式会社鬼海贵也获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利基片处理装置、基片处理方法和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109786286B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811344240.8，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权基片处理装置、基片处理方法和存储介质是由鬼海贵也;大石雄三设计研发完成，并于2018-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本基片处理装置、基片处理方法和存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供一种对提高在基片的表面形成的有机覆膜的灰化处理的均匀性有效的基片处理装置，基片处理装置1包括：保持晶片W并使该晶片旋转的旋转保持部30，上述晶片在表面Wa具有有机覆膜；向晶片的表面照射有机覆膜的灰化用的光的光照射部40；以使气流能够通过晶片与光照射部之间的方式形成含氧气体的气流的气流形成部；照射控制部114，其控制光照射部，以使得在气流形成部在晶片与光照射部之间形成上述气流的状态下向晶片的表面照射上述光；和旋转控制部115，其控制旋转保持部，以使得在气流形成部在晶片与光照射部之间形成上述气流、光照射部向晶片的表面照射上述光的状态下，使晶片旋转。
本发明授权基片处理装置、基片处理方法和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种基片处理装置，其特征在于，包括： 保持基片并使该基片旋转的旋转保持部，所述基片在表面具有有机覆膜； 向由所述旋转保持部保持的所述基片的表面照射所述有机覆膜的灰化用的光的光照射部； 以使气流能够通过由所述旋转保持部保持的所述基片与所述光照射部之间的方式形成含氧气体的气流的气流形成部； 照射控制部，其控制光照射部，以使得在所述气流形成部在所述基片与所述光照射部之间形成所述含氧气体的气流的状态下，向该基片的表面照射所述灰化用的光；和 旋转控制部，其控制所述旋转保持部，以使得在所述气流形成部在所述基片与所述光照射部之间形成所述含氧气体的气流、所述光照射部向该基片的表面照射所述灰化用的光的状态下，使该基片旋转， 所述旋转控制部控制所述旋转保持部，以使得随着从向所述基片开始照射所述灰化用的光时起的时间的经过，降低所述基片的转速。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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