朗姆研究公司秦策获国家专利权
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龙图腾网获悉朗姆研究公司申请的专利氧化硅氮化硅堆叠件阶梯式蚀刻获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111418046B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880077770.2，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权氧化硅氮化硅堆叠件阶梯式蚀刻是由秦策;谭忠魁;傅乾;李圣度设计研发完成，并于2018-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本氧化硅氮化硅堆叠件阶梯式蚀刻在说明书摘要公布了：提供了一种用于在衬底上的堆叠件中形成楼梯踏步式结构的方法。所述方法包括至少一个楼梯踏步循环。每个楼梯踏步循环包括：修整所述掩模并且蚀刻所述堆叠件。在多个循环中提供蚀刻所述堆叠件，其中每个循环包括：刻蚀SiO2层以及蚀刻SiN层。刻蚀SiO2层包括：使SiO2蚀刻气体流入所述等离子体处理室，其中，所述SiO2蚀刻气体包括SF6和NF3中的至少一种、氢氟烃以及惰性轰击气体；由所述SiO2蚀刻气体产生等离子体；提供偏置以及停止所述SiO2层蚀刻。所述蚀刻SiN层包括：使SiN蚀刻气体流入所述等离子体处理室，所述SiN蚀刻气体包含氢氟烃和氧；由所述SiN蚀刻气体产生等离子体；提供偏置；以及停止所述SiN层蚀刻。
本发明授权氧化硅氮化硅堆叠件阶梯式蚀刻在权利要求书中公布了：1.一种用于在等离子体处理室中的衬底上的堆叠件中形成阶梯式结构的方法，其中，所述堆叠件包括在掩模下的多个氧化硅和氮化硅双层，所述方法包括至少一个阶梯循环，其中每个阶梯循环包括： 修整所述掩模；以及 在多个循环中蚀刻所述堆叠件，其中每个循环包括： 刻蚀SiO2层，其包括： 使SiO2蚀刻气体流入所述等离子体处理室，其中，所述SiO2蚀刻气体包括SF6和NF3中的至少一种、氢氟烃以及惰性轰击气体； 由所述SiO2蚀刻气体产生等离子体； 提供偏置；以及 停止所述SiO2层蚀刻；以及 蚀刻SiN层，其中，相对于所述SiO2层和所述掩模选择性地蚀刻所述SiN层，其包括： 使SiN蚀刻气体流入所述等离子体处理室，其中，所述SiN蚀刻气体包含氢氟烃和氧； 由所述SiN蚀刻气体产生等离子体； 提供偏置；以及 停止所述SiN层蚀刻。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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