超威半导体公司理查德·T·舒尔茨获国家专利权
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龙图腾网获悉超威半导体公司申请的专利单元中的有源区上方的栅极触点获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112166498B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980035109.X，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权单元中的有源区上方的栅极触点是由理查德·T·舒尔茨设计研发完成，并于2019-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本单元中的有源区上方的栅极触点在说明书摘要公布了：描述了一种用于布置标准单元的电网连接的系统和方法。在各种实施方案中，将栅极金属放置在非平面垂直导电结构上，所述非平面垂直导电结构用于形成非平面器件晶体管。栅极触点将栅极金属连接至所述栅极金属上方的栅极延伸金属GEM。GEM放置在所述栅极金属上方，并通过一个或多个栅极触点与栅极金属连接。在所述GEM上在有源区上方形成栅极延伸触点。与栅极触点类似，以相比使用自对准触点工艺不太复杂的制造工艺来形成栅极延伸触点。栅极延伸触点将GEM连接至互连层，例如金属零层。栅极延伸触点与所述非平面垂直导电结构中的一者垂直对准。因此，在实施方案中，一个或多个栅极延伸触点位于所述有源区上方。
本发明授权单元中的有源区上方的栅极触点在权利要求书中公布了：1.一种用于创建标准单元布局的半导体器件制造方法，其包括： 在硅衬底上形成一个或多个非平面垂直导电结构； 将栅极金属放置在所述一个或多个非平面垂直导电结构的一部分上； 在所述栅极金属的一个或多个末端上形成一个或多个栅极触点； 将栅极延伸金属GEM在所述栅极金属上方放置在所述一个或多个栅极触点上，其中所述栅极延伸金属在整个所述标准单元布局中仅放置在所述栅极金属上方；以及 在所述栅极延伸金属上的位于所述一个或多个非平面垂直导电结构中的一者上且与所述一个或多个非平面垂直导电结构中的一者对准的位置处形成栅极延伸触点，其中用于路由信号的多个金属层中的金属零层可用于对栅极连接进行布线，其中所述金属零层与所述栅极延伸触点和源极漏极触点中的一个或多个接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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