谢菲尔德大学王涛获国家专利权
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龙图腾网获悉谢菲尔德大学申请的专利LED阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112823421B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980066550.4，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权LED阵列是由王涛设计研发完成，并于2019-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本LED阵列在说明书摘要公布了：一种制造发光二极管LED阵列的方法包括以下步骤：由III族氮化物材料形成半导体层100；在半导体层上方形成电介质掩模层104，电介质掩模层具有穿过该电介质掩模层的孔洞的阵列，每个孔洞暴露出半导体层的一区域；并且使在每个孔洞中生长LED结构体108。
本发明授权LED阵列在权利要求书中公布了：1.一种制造发光二极管LED阵列的方法，所述方法包括：由III族氮化物材料形成半导体层，其中，所述半导体层包括第一子层和第二子层；在所述半导体层的上方形成电介质掩模层，所述电介质掩模层具有穿过所述电介质掩模层的孔洞的阵列，每个孔洞暴露出所述半导体层的所述第一子层的一区域；并且使在每个所述孔洞中生长LED结构体，使在每个所述孔洞中生长所述LED结构体包括：使在每个所述孔洞中生长n型层、至少一个有源层、以及p型层，其中，所暴露出的半导体层的导电类型和所述LED结构体的与所暴露出的半导体层接触的层的导电类型相同，并且其中，所暴露出的半导体层和所述LED结构体的与所暴露出的半导体层接触的层包括相同的III族氮化物材料，其中，所述半导体层的所述第二子层的上表面不高于所述孔洞中的所述LED结构体的所述n型层的上表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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