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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种带有应变超晶格结构的AlGaInP红光半导体激光器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115528542B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110710538.1，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种带有应变超晶格结构的AlGaInP红光半导体激光器件及其制备方法是由刘飞;张新;张东东设计研发完成，并于2021-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带有应变超晶格结构的AlGaInP红光半导体激光器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种带有应变超晶格结构的AlGaInP红光半导体激光器件及其制备方法，由下至上依次包括衬底、缓冲层、下过渡层、下限制层、下波导层、Ala1Ga1‑a1b1In1‑b1PAla1Ga1‑a1b2In1‑b2P应变超晶格、第一量子阱、垒层、第二量子阱、上波导层、第一上限制层、腐蚀终止层、第二上限制层、上过渡层和GaAs帽层；本发明AlGaInP渐变波导层生长后，插入应变超晶格结构，提升材料生长质量，抑制界面非辐射复合，从而降低阈值电流，提高老化特性。

本发明授权一种带有应变超晶格结构的AlGaInP红光半导体激光器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种带有应变超晶格结构的AlGaInP红光半导体激光器件，其特征在于，由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、Ga0.5In0.5P下过渡层、Al0.5In0.5P下限制层、Al1-x1Gax1y1In1-y1P下波导层、Ala1Ga1-a1b1In1-b1PAla1Ga1-a1b2In1-b2P应变超晶格、Ga1-x2Inx2P第一量子阱、Al1-x3Gax3y2In1-y2P垒层、Ga1-x4Inx4P第二量子阱、Al1-x5Gax5y3In1-y3P上波导层、Al0.5In0.5P第一上限制层、Ga1-x6Inx6P腐蚀终止层、Al0.5In0.5P第二上限制层、Ga0.5In0.5P上过渡层和GaAs帽层； 其中，0.05≤x1≤0.6，0.4≤y1≤0.6；0.5≤x2≤0.7；0.3≤x3≤0.6，0.4≤y2≤0.6；0.5≤x4≤0.7；0.05≤x5≤0.6，0.4≤y3≤0.6；0.4≤x6≤0.5；0.25≤a1≤0.4，0.4≤b1≤0.45；0.55≤b2≤0.6；a1小于0.4，b1大于0.5，b2小于0.5。

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