珠海安普特科技有限公司郭明亮获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海安普特科技有限公司申请的专利用于双侧面板处理的下游等离子装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223207319U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422359872.9，技术领域涉及：H05K3/26；该实用新型用于双侧面板处理的下游等离子装置是由郭明亮;孟祥华;卢永安设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于双侧面板处理的下游等离子装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种用于双侧面板处理的下游等离子装置，属于等离子处理技术领域，本用于双侧面板处理的下游等离子装置包括：真空腔体，真空腔体内固定有基板；两片接地电极，两片接地电极分别设置基板两侧，两片接地电极均与基板平行设置，两片接地电极上均开设有多个通孔；两片接电电极，两片接电电极分别设置在两片接地电极远离基板的一侧。通过本用于双侧面板处理的下游等离子装置对敏感器件进行处理，不会对产品表面造成任何损伤，且具有选择性刻蚀的优点，对去除有机物污染非常有效。在基板的两侧均设置接地电极和接电电极能够实现一次性双面处理，有利于提高生产效率，降低生产成本，且双面处理均匀。
本实用新型用于双侧面板处理的下游等离子装置在权利要求书中公布了：1.一种用于双侧面板处理的下游等离子装置，其特征在于，包括： 真空腔体，真空腔体内固定有基板； 两片接地电极，两片接地电极分别设置基板两侧，两片接地电极均与基板平行设置，两片接地电极上均开设有多个通孔； 两片接电电极，两片接电电极分别设置在两片接地电极远离基板的一侧。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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