嘉兴阿特斯技术研究院有限公司张强获国家专利权
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龙图腾网获悉嘉兴阿特斯技术研究院有限公司申请的专利一种异质结太阳能电池获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223207459U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422463571.0，技术领域涉及：H10F10/166；该实用新型一种异质结太阳能电池是由张强设计研发完成，并于2024-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种异质结太阳能电池在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种异质结太阳能电池，包括n型硅片，n型硅片的相对两侧表面分别为正面和背面，背面依次设置有背面本征非晶硅层、第一硼掺杂p型微晶硅层、第二硼掺杂p型微晶硅层、第三硼掺杂p型微晶硅层、第四硼掺杂p型微晶硅层、背面透明导电层和背面金属电极；正面依次设置有正面本征非晶硅层、磷掺杂n型微晶硅层、正面透明导电层和正面金属电极；第一硼掺杂p型微晶硅层中硼掺杂浓度小于第二硼掺杂p型微晶硅层中硼掺杂浓度，第三硼掺杂p型微晶硅层中硼掺杂浓度小于第一硼掺杂p型微晶硅层中硼掺杂浓度，第四硼掺杂p型微晶硅层中硼掺杂浓度大于第二硼掺杂p型微晶硅层中硼掺杂浓度；第四硼掺杂p型微晶硅层的厚度≤5nm。
本实用新型一种异质结太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，所述异质结太阳能电池包括n型硅片，所述n型硅片的相对两侧表面分别为正面和背面，所述n型硅片的背面沿着远离n型硅片的方向依次设置有背面本征非晶硅层、第一硼掺杂p型微晶硅层、第二硼掺杂p型微晶硅层、第三硼掺杂p型微晶硅层、第四硼掺杂p型微晶硅层、背面透明导电层和背面金属电极； 所述n型硅片的正面沿着远离n型硅片的方向依次设置有正面本征非晶硅层、磷掺杂n型微晶硅层、正面透明导电层和正面金属电极； 所述第一硼掺杂p型微晶硅层中的硼掺杂浓度小于第二硼掺杂p型微晶硅层中的硼掺杂浓度，所述第三硼掺杂p型微晶硅层中的硼掺杂浓度小于第一硼掺杂p型微晶硅层中的硼掺杂浓度，所述第四硼掺杂p型微晶硅层中的硼掺杂浓度大于所述第二硼掺杂p型微晶硅层中的硼掺杂浓度； 所述第四硼掺杂p型微晶硅层的厚度≤5nm。
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