上海鑫维半导体有限公司王军获国家专利权
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龙图腾网获悉上海鑫维半导体有限公司申请的专利一种使用中子源轰击硅片加工的超快速ESD器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223206263U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422504578.2，技术领域涉及：H01L23/10；该实用新型一种使用中子源轰击硅片加工的超快速ESD器件是由王军设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种使用中子源轰击硅片加工的超快速ESD器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种使用中子源轰击硅片加工的超快速ESD器件，涉及ESD器件技术领域。该使用中子源轰击硅片加工的超快速ESD器件，包括封装主体与封装上盖，所述封装主体的上侧表面开设有放置槽，放置槽内部设置有引脚，封装主体的上侧表面开设有两个凹槽，两个凹槽的底壁均固定连接有弹簧，两个弹簧的上端固定连接有U形固定架，U形固定架的下侧表面与引脚的上侧表面接触，封装主体的内壁固定连接有安装板，封装主体的上侧表面开设有定位槽，定位槽的底壁开设有锁定槽，封装上盖的下侧表面固定连接有与锁定槽相适配的锁定板，可以使得在组装固定时没有额外分离的小组件，避免了在后续拆卸的过程中导致部分小部件丢失导致无法安装的问题。
本实用新型一种使用中子源轰击硅片加工的超快速ESD器件在权利要求书中公布了：1.一种使用中子源轰击硅片加工的超快速ESD器件，包括封装主体1与封装上盖10，其特征在于：所述封装主体1的上侧表面开设有放置槽2，放置槽2内部设置有引脚3，封装主体1的上侧表面开设有两个凹槽4，两个凹槽4的底壁均固定连接有弹簧5，两个弹簧5的上端固定连接有U形固定架6，U形固定架6的下侧表面与引脚3的上侧表面接触，封装主体1的内壁固定连接有安装板7，封装主体1的上侧表面开设有定位槽8，定位槽8的底壁开设有锁定槽9，封装上盖10的下侧表面固定连接有与锁定槽9相适配的锁定板11，锁定板11的前侧表面开设有延伸出其后侧表面的通槽12，安装板7的内部设置为中空，安装板7的内部设置有锁定组件。
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