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龙图腾网获悉刘春华申请的专利一种开关电容放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119582780B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411626084.X，技术领域涉及：H03F3/00；该发明授权一种开关电容放大器是由刘春华;沈金菊设计研发完成，并于2024-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种开关电容放大器在说明书摘要公布了：本申请公开了一种开关电容放大器，涉及模拟或数模混合集成电路技术领域，包括偏置电路、第一级跨导放大器和第二级跨导放大器，当放大器工作在放大状态时，需要较大的电流，使得放大器能够实现快速的建立，通过本发明所提出的技术能提供较大的电流；当放大器工作在复位状态时，只需要提供正确的工作点，不需要大电流，本发明所提出的技术能够将电流减小到一个设定值，能够最大程度减小放大器的功耗。改变了传统结构中，没有对放大器工作在复位状态和放大状态下的电流进行调节，从而导致放大器功耗较大的缺点；本发明所提出的技术能够根据放大器的不同工作模式，实现对放大器增益的切换，改变了传统结构中，增益不能改变的缺点。

本发明授权一种开关电容放大器在权利要求书中公布了：1.一种开关电容放大器，其特征在于，包括偏置电路、第一级跨导放大器和第二级跨导放大器，其中： 所述偏置电路包括恒流源IB，所述恒流源IB注入NMOS管M0的漏极，NMOS管M0为二极管连接形式，NMOS管M0的栅极和NMOS管M1的栅极相连，NMOS管M0和M1的源极均接地；NMOS管M1的漏极和PMOS管M3的漏极相连，PMOS管M3的源极和PMOS管M4的漏极相连，PMOS管M3和M4均为二极管连接形式，PMOS管M4的源极和电源vdd相连；PMOS管M5的栅极和PMOS管M4的栅极相连，PMOS管M5的源极和电源vdd相连，PMOS管M5的漏极和PMOS管M6的源极相连，PMOS管M6的栅极和PMOS管M3的栅极相连；PMOS管M6的漏极和NMOS管M2的漏极相连，NMOS管M2为二极管连接形式，NMOS管M2的源极接地，NMOS管M2的栅极和漏极偏置电压为vn1；NMOS管M2的栅极依次通过开关k3、电容C3的一端、开关k3n与电容C4的一端相连，所述C3的另一端接电源vdd；所述电容C4另一端同时接开关k4和开关k4n的一端，所述开关k4n的另一端接电源vdd，开关k4的另一端接固定偏置电压vn； 还包括PMOS管M7，所述PMOS管M7的栅极和PMOS管M6的栅极相连，PMOS管M7的源极接PMOS管M8的漏极，PMOS管M8的源极接电源vdd，PMOS管M8的栅极接PMOS管M7的漏极，PMOS管M8的栅极偏置电压为vb1，PMOS管M7的漏极接NMOS管M47的漏极，NMOS管M47的源极接地，NMOS管M47的栅极接NMOS管M1的栅极；PMOS管M8的栅极依次通过开关k1、电容C1的一端、开关k1n与电容C2的一端相连，所述C1的另一端接电源vdd；所述电容C2另一端同时接开关k2和开关k2n的一端，所述开关k2n的另一端接地，开关k2的另一端接固定偏置电压vb。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人刘春华，其通讯地址为：610021 四川省成都市锦江区爵版街23号1栋1单元7楼14号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。