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龙图腾网获悉大连中科超硅集成技术有限公司申请的专利一种PCSEL阵列引线键合集成方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120073470B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510550400.8，技术领域涉及：H01S5/02345；该发明授权一种PCSEL阵列引线键合集成方法及系统是由郭易之;丑俊;石英楠;祁曼婷;姚楚原;李承运;刘丁文;钟雨婷设计研发完成，并于2025-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种PCSEL阵列引线键合集成方法及系统在说明书摘要公布了：本申请涉及引线键合技术领域，具体涉及一种PCSEL阵列引线键合集成方法及系统，该方法包括：对PCSEL阵列进行定位，将光子引线键合阵列一端与PCSEL阵列的面发射出光口处进行键合，在对PCSEL阵列样本进行引线键合的过程中，根据引线键合过程中键合参数的变化特征，以及定位信息与原始定位信息的差异，得到下一批PCSEL阵列样本的参数值；对波导阵列进行定位后，将光子引线键合阵列另一端与波导阵列进行键合。本申请旨在对键合的参数值进行调整，提升引线键合集成的质量。

本发明授权一种PCSEL阵列引线键合集成方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种PCSEL阵列引线键合集成方法，其特征在于，PCSEL阵列引线键合集成结构包括：衬底层、绝缘层、波导阵列、金属层、PCSEL阵列、光子引线键合阵列；衬底层一侧有一凹槽；绝缘层设于非凹槽处的衬底层之上；波导阵列设于绝缘层之上，与凹槽相接，位于凹槽的一侧；金属层布设于凹槽内的衬底层之上；PCSEL阵列位于金属层之上； 对PCSEL阵列进行定位，基于定位信息与预设位置信息之间的位置差异，获取所有键合位置的位置偏差值；将光子引线键合阵列一端与PCSEL阵列的面发射出光口处进行键合，在对PCSEL阵列样本进行引线键合的过程中，测量键合参数数据；基于同一批所有PCSEL阵列样本每种键合参数数据对应的权值，获取状态样本集合； 基于任意两个PCSEL阵列样本在状态样本集合中的距离，结合位置偏差值之间的差异，得到所述任意两个PCSEL阵列样本之间的距离判定结果；对状态样本集合进行聚类，比较每个聚类簇中每种键合参数相较于预设参数值之间的变化，以及每个聚类簇在键合过程中所占的比例，获取下一批PCSEL阵列样本的参数调整值，得到下一批PCSEL阵列样本的参数值； 对波导阵列进行定位后，将光子引线键合阵列另一端与波导阵列进行键合。

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