中国人民解放军国防科技大学符庭钊获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利集成衍射光学神经网络迁移学习芯片及其参数训练方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120181157B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510663249.9，技术领域涉及：G06N3/067；该发明授权集成衍射光学神经网络迁移学习芯片及其参数训练方法是由符庭钊;吴昊;张检发;徐威;朱志宏设计研发完成，并于2025-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成衍射光学神经网络迁移学习芯片及其参数训练方法在说明书摘要公布了：本发明提供的集成衍射光学神经网络迁移学习芯片及其参数训练方法，包括布置在波导层的输入硅波导、集成衍射光学神经网络、锥形硅波导、输出硅波导、小规模迁移神经网络；所述集成衍射光学神经网络中有硅槽阵列嵌入；信号光经输入硅波导传输至集成衍射光学神经网络，信号光通过集成衍射光学神经网络中的硅槽阵列产生相位延迟并发生光学衍射后输入锥形硅波导，锥形硅波导对输入的信号光进行模式选择后经输出硅波导输入小规模迁移神经网络，小规模迁移神经网络对信号调制后输出。本发明能够在相位改变的同时对光场进行调制，并且能够高效率的对多个任务进行处理，提高了芯片的资源利用率以及通用性。
本发明授权集成衍射光学神经网络迁移学习芯片及其参数训练方法在权利要求书中公布了：1.集成衍射光学神经网络迁移学习芯片，其特征在于，包括布置在波导层的输入硅波导、集成衍射光学神经网络、锥形硅波导、输出硅波导、小规模迁移神经网络； 所述输入硅波导为多输入的硅波导阵列，由多个硅波导构成； 所述集成衍射光学神经网络中有硅槽阵列嵌入，所述硅槽阵列填充有低折射率光学材料； 信号光经输入硅波导传输至集成衍射光学神经网络，信号光通过集成衍射光学神经网络中的硅槽阵列产生相位延迟并发生光学衍射后输入锥形硅波导，锥形硅波导对输入的信号光进行模式选择后经输出硅波导输入小规模迁移神经网络，小规模迁移神经网络对信号调制后输出。
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