江苏第三代半导体研究院有限公司王国斌获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利基于相位重构的Micro-LED阵列测量方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120194914B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510677116.7，技术领域涉及：G01M11/02；该发明授权基于相位重构的Micro-LED阵列测量方法及系统是由王国斌设计研发完成，并于2025-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于相位重构的Micro-LED阵列测量方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于相位重构的Micro‑LED阵列测量方法及系统，涉及微发光二极管显示技术领域，该方法包括首先获取待测Micro‑LED阵列的焦面图像及多个离焦面图像，接着利用相位重构模型对这些图像进行相位重构，获得出光面的光场信息，再基于光场信息构建幅频分布，得到不同出光角度的光强分布评估图，最后基于焦面图像与光强分布评估图，得出包括出光角度、发光强度占比及光强均匀性等测量信息。本发明能够快速、准确、高效地检测Micro‑LED阵列的出光角度、发光强度及光强均匀性，适用于大规模批量检测，提高了测量的精确性和可靠性，且可广泛应用于其他发光半导体材料的测量。
本发明授权基于相位重构的Micro-LED阵列测量方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于相位重构的Micro-LED阵列测量方法，其特征在于，应用于测量系统中的计算机，所述方法包括： 获取待测Micro-LED阵列的焦面图像以及多个离焦面图像； 利用相位重构模型对所述焦面图像以及所述多个离焦面图像进行相位重构，获得所述待测Micro-LED阵列的出光面的光场信息； 基于所述出光面的光场信息，构建所述出光面的幅频分布，得到不同出光角度的光强分布评估图； 基于所述焦面图像与所述光强分布评估图，得到所述待测Micro-LED阵列的测量信息；其中，所述测量信息包括出光角度、发光强度占比以及光强均匀性中的至少一个。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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