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龙图腾网获悉杭州星原驰半导体有限公司申请的专利一种薄膜设备加热基座的背部控温装置及控温方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120210785B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510696419.3，技术领域涉及：C23C16/46；该发明授权一种薄膜设备加热基座的背部控温装置及控温方法是由李相佰;陈培杰;邵大立;金太阳;齐彪;史皓然;夏智兴;陈扬;章丽君设计研发完成，并于2025-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种薄膜设备加热基座的背部控温装置及控温方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种薄膜设备加热基座的背部控温装置及控温方法，包括上腔、下腔、加热基座和背部控温装置，加热基座安装在下腔内，上腔连接在下腔上，上腔与下腔之间设置有抽气环，抽气环外接有真空泵，上腔上设置有喷淋盘，喷淋盘位于加热基座的正上方，上腔内部设置有进气通道，背部控温装置安装在加热基座的背面，背部控温装置与加热基座相接触，上腔和下腔之间形成反应真空腔室，加热基座与上腔之间形成反应空间，加热基座上设置有晶圆，本发明解决了晶圆在加热过程中受热不均匀导致薄膜沉积不均匀的问题，通过设置基座背部控温装置可以调节基座特定区域的温度，从而提高整体的温度均匀性，控制薄膜的厚度均匀性。

本发明授权一种薄膜设备加热基座的背部控温装置及控温方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜设备加热基座的背部控温装置，包括上腔1、下腔2、加热基座3和背部控温装置4，其特征在于，所述加热基座3安装在下腔2内，所述上腔1连接在下腔2上，所述上腔1和下腔2之间形成密闭的腔体空间，所述上腔1与下腔2之间设置有抽气环6，所述抽气环6对应加热基座3的外周，所述抽气环6外接有真空泵，所述上腔1上设置有喷淋盘，所述喷淋盘位于加热基座3的正上方，所述上腔1内部设置有进气通道21，所述背部控温装置4安装在加热基座3的背面，所述背部控温装置4与加热基座3相接触，所述上腔1和下腔2之间形成反应真空腔室，所述加热基座3与上腔1之间形成反应空间，所述加热基座3上设置有晶圆，晶圆的热量通过加热基座3直接接触传递，所述背部控温装置4用于对所述加热基座3的背面进行温度调节；所述背部控温装置4包括调节多孔盘41、固定多孔盘42、反射板43和接触块44，所述调节多孔盘41与加热基座3的导热部31相接触，所述固定多孔盘42安装在调节多孔盘41的下方，所述反射板43和接触块44均设置在调节多孔盘41中；所述调节多孔盘41上开有调节开孔区411，所述调节开孔区411的形状可为扇形形状，相邻所述调节开孔区411之间设有连接筋412，相邻所述调节开孔区411直接通过连接筋412分隔，所述调节多孔盘41上所述调节开孔区411的底部设置有阶梯沉槽413，所述阶梯沉槽413的外轮廓大于调节开孔区411，所述反射板43设置在所述阶梯沉槽413中，所述反射板43的厚度与阶梯沉槽413的深度相匹配，所述接触块44与所述调节开孔区411相匹配，所述接触块44设置在所述调节开孔区411中，所述接触块44的上端与加热基座3的底面相接触，所述接触块44位于固定多孔盘42的上方，所述固定多孔盘42上开有仿形开孔区，所述仿形开孔区尺寸小于上方调节多孔盘41的孔尺寸，所述阶梯沉槽413的外轮廓尺寸大于调节多孔盘41的孔尺寸。

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