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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120264951B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510714636.0，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权LED芯片及其制备方法是由张雪;李美玲;张星星;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2025-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及发光二极管制造技术领域，尤其涉及一种LED芯片及其制备方法。LED芯片的制备方法包括：提供外延片；形成绝缘层、第一绝缘层开孔；形成光刻胶层，刻蚀形成第二绝缘层开孔；形成Ag金属层和扩散阻挡层，腐蚀减薄扩散阻挡层并刻蚀第二绝缘层开孔的侧壁，形成第三绝缘层开孔；形成保护层；形成钝化层、钝化层开孔；形成焊盘层。其中，保护层的宽度‑扩散阻挡层的宽度≥2μm；焊盘层的侧壁与扩散阻挡层的侧壁之间的距离≥10μm，实施本发明，可阻挡Ag金属层中Ag的扩散，防止其与焊盘层结合形成合金，大幅提升了LED芯片的可靠性。

本发明授权LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、提供外延片，在所述外延片上形成绝缘层，并形成第一绝缘层开孔，得到第一中间体； S2、在所述第一中间体上形成光刻胶层，并形成暴露所述第一绝缘层开孔的光刻胶开口； S3、沿所述光刻胶开口刻蚀所述第一绝缘层开孔的侧壁，在所述第一绝缘层开孔的顶部形成第二绝缘层开孔； S4、在所述光刻胶层上以及所述光刻胶开口内形成反射层，得到第二中间体；其中，所述反射层包括依次层叠的Ag金属层和扩散阻挡层；所述反射层与所述光刻胶层之间设有间隙，以至少部分暴露所述第二绝缘层开孔的侧壁； S5、采用腐蚀液将所述第二中间体腐蚀，以减薄所述扩散阻挡层，并刻蚀所述第二绝缘层开孔的侧壁，在减薄后的扩散阻挡层的上方形成第三绝缘层开孔； S6、在所述光刻胶开口内形成保护层，并去除光刻胶层，得到第三中间体；所述保护层的宽度与所述扩散阻挡层的宽度之差大于等于2μm； S7、在所述第三中间体上形成钝化层，并刻蚀形成暴露保护层的钝化层开孔，得到第四中间体； S8、在所述第四中间体上形成焊盘层；其中，所述焊盘层的侧壁与所述扩散阻挡层的侧壁之间的距离≥10μm。

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