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巴中碳原子新材料科技有限公司赵植获国家专利权

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龙图腾网获悉巴中碳原子新材料科技有限公司申请的专利一种高容量硅碳负极材料及其制备工艺获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120261548B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510740362.2,技术领域涉及:H01M4/36;该发明授权一种高容量硅碳负极材料及其制备工艺是由赵植;陈天斌;邓剑平;罗正军;郭立朋;罗千明;罗江梅设计研发完成,并于2025-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。

一种高容量硅碳负极材料及其制备工艺在说明书摘要公布了:本申请涉及锂电负极材料领域,具体公开了一种高容量硅碳负极材料及其制备工艺。其制备工艺包括:制备总孔孔容为1.0‑1.3cm3g、抗压强度为20‑40Mpa的生物质活性炭;采用流化床化学气相沉积工艺,在所述多孔碳基体的孔隙内和表面上沉积硅纳米颗粒,得到硅碳核材料;再以乙炔为碳源,在硅碳核材料表面沉积薄碳层;采用回转炉进行二次碳包覆,形成硅碳负极材料。采用这种工艺制得的硅碳负极材料,不但提升了材料的机械稳定性和循环稳定性;同时大孔容的多孔活性炭碳为硅纳米颗粒提供了充足的沉积空间,可逆容量得到有效提升,且能够显著抑制硅在循环过程中的体积膨胀。

本发明授权一种高容量硅碳负极材料及其制备工艺在权利要求书中公布了:1.一种高容量硅碳负极材料的制备工艺,其特征在于,其包括: 1制备总孔孔容为1.0-1.3cm3g、抗压强度为20-40Mpa的生物质活性炭; 2将所述生物质活性炭投入流化床中,采用流化床化学气相沉积工艺,以硅烷为硅源,在所述生物质活性炭的孔隙内和表面上沉积硅纳米颗粒,得到硅碳核材料;再以乙炔为碳源,在所述硅碳核材料表面沉积薄碳层; 3将具有薄碳层的硅碳核材料从流化床中导出,以乙炔为碳源,采用回转炉进行二次碳包覆,形成硅碳负极材料; 所述生物质活性炭的制备方法包括: 选择硬壳类植物原料,进行预处理,得到生物质原料; 将所述生物质原料在炭化炉中进行热处理1.5-2.5h,得到碳化料;所述热处理的过程为程序升温过程,包括:炭化炉以4-6℃min升温至200℃,保温20-40min;再以4-6℃min升温至380-420℃,保温20-40min;最后再以4-6℃min升温至600-650℃,保温1.5-2.5h; 将所述碳化料与无机碱混合,碱碳比为1.5-2.5:1,将混合物料投入活化炉中,在450-550℃下热处理1.5-2.5h进行固化,随后在于800-850℃下活化0.8-2h,得到活化料; 将所述活化料破碎后,进行酸洗过滤气流粉碎后得到生物质活性炭。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人巴中碳原子新材料科技有限公司,其通讯地址为:636400 四川省巴中市平昌县经济开发区星光工业园兆祥路1号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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