三星电子株式会社李禹镇获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110931456B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910859270.0，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体装置及其制造方法是由李禹镇;徐训硕;安商燻;韩奎熙设计研发完成，并于2019-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置及制造半导体装置的方法，所述半导体装置包括：衬底，包括有源图案；第一层间介电层，位于所述衬底上，所述第一层间介电层在其上部部分上包括凹槽；以及下部连接线，位于所述第一层间介电层中，所述下部连接线电连接到所述有源图案，且所述下部连接线包括导电图案及阻挡图案，所述第一层间介电层的所述凹槽选择性地暴露出所述导电图案的顶部表面，所述阻挡图案位于所述导电图案与所述第一层间介电层之间，所述第一层间介电层覆盖所述阻挡图案的顶部表面。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 衬底，包括有源图案； 第一层间介电层，位于所述衬底上，所述第一层间介电层在其上部部分上包括凹槽；以及 下部连接线，位于所述第一层间介电层中，所述下部连接线电连接到所述有源图案，且所述下部连接线包括： 导电图案，所述第一层间介电层的所述凹槽选择性地暴露出所述导电图案的顶部表面，以及 阻挡图案，位于所述导电图案与所述第一层间介电层之间，所述第一层间介电层覆盖所述阻挡图案的顶部表面， 其中所述阻挡图案覆盖所述导电图案的除所述导电图案的所述顶部表面之外的侧壁及底部表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市灵通区三星路129号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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