同和电子科技有限公司小鹿优太获国家专利权
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龙图腾网获悉同和电子科技有限公司申请的专利半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113272974B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980088201.2，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法是由小鹿优太;门胁嘉孝设计研发完成，并于2019-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法在说明书摘要公布了：提供一种发光输出得以提高的半导体发光元件。本发明的半导体发光元件具备发光层，所述发光层具有将组成比互不相同的第一III‑V族化合物半导体层与第二III‑V族化合物半导体层反复层叠而得到的层叠结构，前述第一III‑V族化合物半导体层和前述第二III‑V族化合物半导体层均由选自Al、Ga和In以及选自As、Sb和P中的3种以上元素构成，前述第一III‑V族化合物半导体层的组成波长与前述第二III‑V族化合物半导体层的组成波长的组成波长差为50nm以下，并且，前述第一III‑V族化合物半导体层的晶格常数与前述第二III‑V族化合物半导体层的晶格常数的晶格常数差之比为0.05％以上且0.60％以下。
本发明授权半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光元件，其特征在于，其具备发光层，所述发光层具有将组成比互不相同的第一III-V族化合物半导体层与第二III-V族化合物半导体层反复层叠而得到的层叠结构， 所述第一III-V族化合物半导体层和所述第二III-V族化合物半导体层中的III族元素为选自由Al、Ga、In组成的组中的1种或2种以上，并且，所述第一III-V族化合物半导体层和所述第二III-V族化合物半导体层中的V族元素为选自由As、Sb、P组成的组中的1种或2种以上， 所述第一III-V族化合物半导体层和所述第二III-V族化合物半导体层均由选自所述III族元素和所述V族元素中的3种以上元素构成， 所述第一III-V族化合物半导体层的组成波长与所述第二III-V族化合物半导体层的组成波长的组成波长差为50nm以下，并且，所述第一III-V族化合物半导体层的晶格常数与所述第二III-V族化合物半导体层的晶格常数的晶格常数差之比为0.05％以上且0.60％以下。
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