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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利铌酸锂器件的制备方法及其结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115774302B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111045217.0，技术领域涉及：G02B6/138；该发明授权铌酸锂器件的制备方法及其结构是由贾连希;曾宪峰设计研发完成，并于2021-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本铌酸锂器件的制备方法及其结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种铌酸锂器件的制备方法及其结构，该制备方法首先将完整的单元区域及不完整的单元区域定义出来，然后在对铌酸锂薄膜进行刻蚀时，基于该完整的单元区域及不完整的单元区域单独对其下方的铌酸锂薄膜进行刻蚀，这样对于每一个单元区域下方的铌酸锂薄膜刻蚀时，均是以硬掩膜层作为掩膜，其他区域被光刻胶层保护，这样可以对每个单元区域的铌酸锂薄膜刻蚀采用不同的刻蚀条件，进行工艺优化，避免了现有的两步掩膜刻蚀技术导致晶圆边缘处刻蚀平整度较低，晶圆边缘的粗糙、铌酸锂薄板厚度变化大的问题；另外，因为铌酸锂晶圆的价格昂贵，采用本实施例的制备方法可以有效降低铌酸锂刻蚀工艺的开发成本。

本发明授权铌酸锂器件的制备方法及其结构在权利要求书中公布了：1.一种铌酸锂器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供衬底，所述衬底上粘合有铌酸锂薄膜，形成叠层结构，所述铌酸锂薄膜的面积小于所述衬底的面积； 于所述叠层结构上沉积硬掩膜层； 于所述硬掩膜层上形成光刻胶层，并采用光刻刻蚀工艺图形化所述光刻胶层，形成光刻窗口，所述光刻窗口形成于所述铌酸锂薄膜所在区域，且所述光刻窗口显露部分完整的单元区域和部分不完整的单元区域； 基于所述光刻窗口刻蚀所述硬掩膜层，将部分完整的单元区域和部分不完整的单元区域的所述硬掩膜层都刻蚀掉，形成刻蚀窗口； 进行部分曝光使得单独的一个所述完整的单元区域或所述不完整的单元区域显露出来，并对其对应的所述铌酸锂薄膜进行刻蚀；重复本步骤直至将所有的所述完整的单元区域或所述不完整的单元区域对应的所述铌酸锂薄膜进行刻蚀，此过程中对于每一个所需刻蚀的单元区域下方的铌酸锂薄膜刻蚀时，均是以所述硬掩膜层作为掩膜，其他单元区域被光刻胶层保护，并对每个所需刻蚀的单元区域下方的铌酸锂薄膜刻蚀采用不同的刻蚀条件。

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