无锡华润微电子有限公司陈晓亮获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉无锡华润微电子有限公司申请的专利具有静电释放防护结构的器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115775798B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111052227.7，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权具有静电释放防护结构的器件及其制造方法是由陈晓亮;陈天;钱忠健设计研发完成，并于2021-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有静电释放防护结构的器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有静电释放防护结构的器件及其制造方法，所述器件包括器件区和ESD区，器件区包括：衬底；绝缘层，设于衬底上；器件有源区层，设于绝缘层上；ESD区包括：半导体层，与衬底连接；第二导电类型阱区，设于半导体层中；第一掺杂区，设于第二导电类型阱区表面；第二掺杂区，设于所述第二导电类型阱区表面；其中，第一掺杂区作为第一三极管的发射极，半导体层作为第二三极管的发射极，第二掺杂区作为第一三极管和第二三极管的集电极，第二导电类型阱区作为第一三极管和第二三极管的基极。本发明能够避免因散热性差导致ESD防护结构热击穿而失效。ESD区具有两条电流泄放路径，提升了电流泄放效率，具有很高的ESD防护能力。
本发明授权具有静电释放防护结构的器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种具有静电释放防护结构的器件，其特征在于，包括器件区和ESD区，所述器件区包括： 衬底，具有第一导电类型； 绝缘层，设于所述衬底上； 器件有源区层，设于所述绝缘层上； 所述ESD区包括： 半导体层，与所述衬底连接，具有第一导电类型； 第二导电类型阱区，设于所述半导体层中； 第一掺杂区，具有第一导电类型，设于所述第二导电类型阱区表面； 第二掺杂区，具有第一导电类型，设于所述第二导电类型阱区表面； 其中，所述第一掺杂区作为第一三极管的发射极，所述半导体层作为第二三极管的发射极，所述第二掺杂区作为所述第一三极管和第二三极管的集电极，所述第二导电类型阱区作为所述第一三极管和第二三极管的基极；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡华润微电子有限公司，其通讯地址为：214135 江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道180号-6；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号