湖南大学尹双凤获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利一种双金属负载硼掺杂的氮化碳纳米片异质结及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113731470B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111077552.9，技术领域涉及：B01J27/24；该发明授权一种双金属负载硼掺杂的氮化碳纳米片异质结及其制备方法和应用是由尹双凤;周威;陈浪;郭君康;申升;谢庭亮;李宗旭;汤龙;张鸿鑫设计研发完成，并于2021-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种双金属负载硼掺杂的氮化碳纳米片异质结及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双金属负载硼掺杂的氮化碳纳米片异质结，所述异质结的一端是金属Cu负载的氮化碳纳米片，另一端是金属Pd负载的缺氮掺硼的氮化碳纳米片；其制备过程为：1光沉积法制备Cu‑CNN；2热还原制备BDCNN；3乙醇还原法制备Pd‑BDCNN；4静电自组装制备Cu‑CNNPd‑BDCNN。本发明的双金属负载硼掺杂的氮化碳纳米片异质结用于光热催化甲烷干重整反应时，Cu‑CNN和Pd‑BDCNN协同提升了光热催化甲烷干重整反应的活性，具有优异的光热催化效果。
本发明授权一种双金属负载硼掺杂的氮化碳纳米片异质结及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种双金属负载硼掺杂的氮化碳纳米片异质结，其特征在于：所述异质结的一端是金属Cu负载的氮化碳纳米片，另一端是金属Pd负载的缺氮掺硼的氮化碳纳米片； 所述异质结中，金属Cu负载的氮化碳纳米片与金属Pd负载的缺氮掺硼的氮化碳纳米片的质量占比为9:1～1:9； 所述金属Cu负载的氮化碳纳米片中，金属Cu的负载量为0.01～1wt％； 所述金属Pd负载的缺氮掺硼的氮化碳纳米片中，金属Pd的负载量为0.5～5wt％，硼的掺杂量为0.05～0.5wt％。
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