中国科学院微电子研究所邢国忠获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利基于全电场控制磁畴壁运动的可重构PUF器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115994390B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111216656.3，技术领域涉及：G06F21/73；该发明授权基于全电场控制磁畴壁运动的可重构PUF器件是由邢国忠;林淮;王迪;刘龙;张凯平;王冠亚;王艳;许晓欣;刘明设计研发完成，并于2021-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于全电场控制磁畴壁运动的可重构PUF器件在说明书摘要公布了：本发明公开了基于全电场控制磁畴壁运动的可重构PUF器件，包括：压控层、上电极、下电极、反铁磁钉扎层以及磁隧道结MTJ；而MTJ包括：由下至上的铁磁参考层、势垒隧穿层以及铁磁自由层；在该器件中，通过在压控层通入电压控制磁各向异性在器件中部形成势阱，在上电极通入电流驱动磁畴壁生成并将其钉扎于能量势阱；撤掉电压后势阱减小，磁畴壁处于亚稳态，在热扰动及几何各向异性条件下磁畴壁随机偏向器件一端，进而随机得到高阻态或低阻态之一。该器件能够通过电学手段达到磁畴壁生成和随机移动，具有无外磁场和室温条件下高可靠以及可重构的阻态随机切换特性。
本发明授权基于全电场控制磁畴壁运动的可重构PUF器件在权利要求书中公布了：1.一种基于全电场控制磁畴壁运动的可重构PUF器件，其特征在于，所述器件包括：压控层、上电极、下电极、反铁磁钉扎层以及磁隧道结MTJ； MTJ包括：由下至上的铁磁参考层、势垒隧穿层以及铁磁自由层； 所述下电极贴设在所述铁磁参考层下表面；所述上电极贴设在所述铁磁自由层下表面的两端；所述上电极和所述下电极用于连接外围电路； 所述铁磁自由层为具有几何的形状各向异性的结构，以便于磁畴壁从中间向两端驰豫移动；反铁磁钉扎层贴设在所述铁磁自由层上表面的两端，将所述铁磁自由层两端的磁畴钉扎为相反方向，用以磁畴壁成核以及防止磁畴壁湮灭； 所述压控层贴设在所述铁磁自由层上表面处于两端的反铁磁钉扎层之间； 在所述器件中，通过在所述压控层通入电压控制磁各向异性在所述器件中部形成能量势阱，在上电极通入电流驱动磁畴壁生成并将其钉扎于势阱；撤掉电压后势阱减小，磁畴壁处于亚稳态，在热扰动及几何各向异性条件下磁畴壁随机偏向器件一端，进而随机得到高阻态或低阻态之一。
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